用于系统级封装的TSV转接板技术方案

本实用新型专利技术涉及一种用于系统级封装的TSV转接板，包括：Si衬底(10)；设置于Si衬底(10)内的第一TSV区(101)、第一隔离区(102)、第一横向二极管(103)、第二隔离区(104)、第二横向二极管(105)、第三隔离区(106)以及第二TSV区(107)；互连线(108)，对第一TSV区(101)的第一端面、第一横向二极管(103)、第二横向二极管(105)以及第二TSV区(107)进行串行连接。本实用新型专利技术提供的TSV转接板通过在TSV转接板上加工二极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】
用于系统级封装的TSV转接板
本技术属半导体集成电路
，特别涉及一种用于系统级封装的TSV转接板。
技术介绍
目前为止集成电路的特征尺寸已经低至7nm，在单个芯片上集成的晶体管数量已经到达百亿级别，伴随百亿级别的晶体管数量的要求，片上资源和互连线长度问题成为现今集成电路领域发展的瓶颈，3D集成电路被认为是未来集成电路的发展方向，它在原有电路的基础上，在Z轴上层叠，以求在最小的面积上集成更多的功能，这种方法克服了原有集成度的限制，利用新兴技术硅通孔(Through-SiliconVia，简称TSV)，大幅度的提高了集成电路的性能，降低线上延迟，减小芯片功耗。在半导体行业里面，随着集成电路集成度的提高以及器件特征尺寸的减小，集成电路中静电放电(Electro-StaticDischarge，简称ESD)引起的潜在性损坏已经变得越来越明显。据有关报道，集成电路领域的故障中有近35％的故障是由ESD所引发的，因此芯片内部都设计有ESD保护结构来提高器件的可靠性。转接板通常是指芯片与封装基板之间的互连和引脚再分布的功能层。转接板可以将密集的I/O引线进行再分布，实现多芯片的高密度互连，成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于系统级封装的TSV转接板，其特征在于，包括：Si衬底(10)；设置于所述Si衬底(10)内的第一TSV区(101)、第一隔离区(102)、第一横向二极管(103)、第二隔离区(104)、第二横向二极管(105)、第三隔离区(106)以及第二TSV区(107)；其中，所述第一横向二极管(103)设置于所述第一隔离区(102)和所述第二隔离区(104)形成的横向封闭区域内，所述第二横向二极管(105)设置于所述第二隔离区(104)和所述第三隔离区(106)形成的横向封闭区域内；所述第一TSV区(101)和所述第二TSV区(107)设置于所述第一隔离区(102)、所述第一横向二极管(10...

【技术特征摘要】
1.一种用于系统级封装的TSV转接板，其特征在于，包括：Si衬底(10)；设置于所述Si衬底(10)内的第一TSV区(101)、第一隔离区(102)、第一横向二极管(103)、第二隔离区(104)、第二横向二极管(105)、第三隔离区(106)以及第二TSV区(107)；其中，所述第一横向二极管(103)设置于所述第一隔离区(102)和所述第二隔离区(104)形成的横向封闭区域内，所述第二横向二极管(105)设置于所述第二隔离区(104)和所述第三隔离区(106)形成的横向封闭区域内；所述第一TSV区(101)和所述第二TSV区(107)设置于所述第一隔离区(102)、所述第一横向二极管(103)、所述第二隔离区(104)、所述第二横向二极管(105)和所述第三隔离区(106)形成区域的外侧；铜互连线(108)，对所述第一TSV区(101)的第一端面、所述第一横向二极管(103)、所述第二横向二极管(105)以及所述第二TSV区(107)的第一端面进行串行连接；其中，所述第一TSV区(101)、所述第一隔离区(102)、所述第二隔离区(104)、所述第三隔离区(106)以及所述第二T...

【专利技术属性】
技术研发人员：张捷，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61