【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片及其制备方法
本专利技术涉及LED
,特别是涉及一种倒装LED芯片及其制备方法。
技术介绍
随着近年来科技不断的进步,LED(发光二极管)技术得到了极大的发展。相比如传统的照明设备,LED具有寿命长、高效可靠、照明亮度均匀、不含有毒物质等优点,被广泛的应用在医疗、照明等人们日常生活的领域。在现阶段,为了让安装有倒装LED芯片的LED器件可以发射出预设颜色的光线,通常需要对倒装LED芯片进行封装。如现有技术中结构最简单的CSP(芯片级)封装,也需要在倒装LED芯片的发光表面覆盖一层掺杂有荧光颗粒的荧光胶,通过倒装LED芯片所发出光线的激发、以及光线的互补而产生预设颜色的光线。但是无论使用哪种封装技术,至少会在倒装LED芯片表面覆盖一层厚度较厚的荧光胶,从而导致LED器件的耐热性较差,但是由于LED器件通常用于照明,其工作环境温度通常较高,使得现有技术中的LED器件的可靠性以及使用寿命通常较低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种倒装LED芯片,可以在不进行封装的情况下即可产生预设颜色的光线;本专利技术的另一目的在于提供一种倒装LED芯片的制 ...
【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片,其特征在于,包括:荧光陶瓷衬底;其中,所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒;位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层;位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层;位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p型外延层;位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极;位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。
【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片,其特征在于,包括:荧光陶瓷衬底;其中,所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒;位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层;位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层;位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p型外延层;位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极;位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于,所述荧光颗粒为黄色荧光颗粒;所述发光层所发出的光线为蓝色光线。3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于,所述n型外延层为n型GaN层;所述p型外延层为p型GaN层。4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片,其特征在于,所述倒装LED芯片还包括:位于所述p型GaN层与所述发光层之间的p型AlGaN层。5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于,所述荧光陶瓷衬底的所述第一表面预先刻蚀有纳米图形。6.根据权利要求5所述的倒...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜元宝,蔡晓宁,张耀华,林胜,张日光,
申请(专利权)人:宁波升谱光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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