一种倒装LED芯片及其制备方法技术

技术编号:19782137 阅读:33 留言:0更新日期:2018-12-15 12:29
本发明专利技术公开了一种倒装LED芯片,所使用的衬底为分布有荧光颗粒的荧光陶瓷衬底,并在荧光陶瓷衬底的第一表面依次设置有n型外延层、发光层以及p型外延层,并形成倒装LED芯片的结构。发光层所产生的部分光线可以射入上述荧光陶瓷衬底,从而激发荧光陶瓷衬底中的荧光颗粒产生相应颜色的光线,有荧光颗粒所产生的光线可以与发光层所产生并透过荧光陶瓷衬底的光线互补从而产生预设颜色的光线,从而可以避免在倒装LED芯片的发光表面覆盖荧光胶。避免设置荧光胶可以有效增加倒装LED芯片的耐热性,从而有效增加LED器件的可靠性以及使用寿命。本发明专利技术还提供了一种倒装LED芯片的制备方法,所制备的倒装LED芯片同样具有上述有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片及其制备方法
本专利技术涉及LED
,特别是涉及一种倒装LED芯片及其制备方法。
技术介绍
随着近年来科技不断的进步,LED(发光二极管)技术得到了极大的发展。相比如传统的照明设备,LED具有寿命长、高效可靠、照明亮度均匀、不含有毒物质等优点,被广泛的应用在医疗、照明等人们日常生活的领域。在现阶段,为了让安装有倒装LED芯片的LED器件可以发射出预设颜色的光线,通常需要对倒装LED芯片进行封装。如现有技术中结构最简单的CSP(芯片级)封装,也需要在倒装LED芯片的发光表面覆盖一层掺杂有荧光颗粒的荧光胶,通过倒装LED芯片所发出光线的激发、以及光线的互补而产生预设颜色的光线。但是无论使用哪种封装技术,至少会在倒装LED芯片表面覆盖一层厚度较厚的荧光胶,从而导致LED器件的耐热性较差,但是由于LED器件通常用于照明,其工作环境温度通常较高,使得现有技术中的LED器件的可靠性以及使用寿命通常较低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种倒装LED芯片,可以在不进行封装的情况下即可产生预设颜色的光线;本专利技术的另一目的在于提供一种倒装LED芯片的制备方法,所制备的倒装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片,其特征在于,包括:荧光陶瓷衬底;其中,所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒;位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层;位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层;位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p型外延层;位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极;位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片,其特征在于,包括:荧光陶瓷衬底;其中,所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒;位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层;位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层;位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p型外延层;位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极;位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于,所述荧光颗粒为黄色荧光颗粒;所述发光层所发出的光线为蓝色光线。3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于,所述n型外延层为n型GaN层;所述p型外延层为p型GaN层。4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片,其特征在于,所述倒装LED芯片还包括:位于所述p型GaN层与所述发光层之间的p型AlGaN层。5.根据权利要求1所述的倒装LED芯片,其特征在于,所述荧光陶瓷衬底的所述第一表面预先刻蚀有纳米图形。6.根据权利要求5所述的倒...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜元宝蔡晓宁张耀华林胜张日光
申请(专利权)人:宁波升谱光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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