一种量子点LED发光器件的封装结构制造技术

技术编号:19782135 阅读:68 留言:0更新日期:2018-12-15 12:29
本发明专利技术公开了一种量子点LED发光器件的封装结构,包括倒装的LED芯片,设置在所述LED芯片发光量子点膜,以及包覆在所述量子点膜和LED芯片外表面但除量子点膜上表面和LED芯片下表面处的且对水氧具有阻隔作用的阻隔材料层;所述量子点膜包括对所述LED芯片具有散热作用的第一保护材料层和第二保护材料层,以及设置在所述第一保护材料层和第二保护材料层之间的量子点薄膜层。本发明专利技术的量子点LED发光器件通过将量子点膜的制备和LED芯片的封装过程相结合,不仅增强了量子点LED发光器件隔热、隔氧及隔湿能力,保证了量子点材料的稳定性,而且提高了量子点材料的发光效率,以及量子点LED发光器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点LED发光器件的封装结构
本专利技术属于半导体照明和显示
更具体地,涉及一种量子点LED发光器件的封装结构。
技术介绍
LED是一种能发光的固态半导体电子元件,透过三价与五价元素组成的复合光源,核心部件是P型半导体和N型半导体组成的芯片。由于LED具有发光效率高、体积小、反应时间快以及使用寿命长等优点,被广泛应用于建筑物、景观、室内、标识与指示性照明等诸多领域。目前,特别是在背光显示领域,由于LED背光源具有绿色环保、低碳节能、尺寸轻薄、色彩还原性好等优点,被广泛应用。随着技术发展越来越迅速,电子产品更新迭代速度越来越快,人们对高质量的液晶显示需求也越来越迫切,所以,亟待一种新的技术方法来满足人们需求,现有荧光粉LED背光源由于受材料性能的限制,对于提升色域较难。量子点作为一种新型半导体纳米材料(通常由IIIB-VB或IIB-VIB元素组成),具有发光效率高、半波宽窄等优良特性,理论上可以代替荧光粉材料,实现更好的显示效果,但由于量子点材料易受水、氧、热等因素的影响,导致并不能达到预期目标,所以针对量子点LED封装结构的优化就显得尤为重要。目前关于量子点LED封装方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点LED发光器件的封装结构,其特征在于,包括倒装的LED芯片,设置在所述LED芯片发光面的量子点膜,以及包覆在所述量子点膜和LED芯片外表面但除量子点膜上表面和LED芯片下表面处的且对水氧具有阻隔作用的阻隔材料层;所述量子点膜包括对所述LED芯片具有散热作用的第一保护材料层和第二保护材料层,以及设置在所述第一保护材料层和第二保护材料层之间的量子点薄膜层。

【技术特征摘要】
1.一种量子点LED发光器件的封装结构,其特征在于,包括倒装的LED芯片,设置在所述LED芯片发光面的量子点膜,以及包覆在所述量子点膜和LED芯片外表面但除量子点膜上表面和LED芯片下表面处的且对水氧具有阻隔作用的阻隔材料层;所述量子点膜包括对所述LED芯片具有散热作用的第一保护材料层和第二保护材料层,以及设置在所述第一保护材料层和第二保护材料层之间的量子点薄膜层。2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,还包括具有良好透光性、粘附性和散热性的粘胶层;所述LED芯片与所述第二保护材料层通过所述粘胶层粘结。3.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述量子点薄膜层置于所述第一保护材料层和第二保护材料层形成的密闭腔体内。4.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,所述第一保护材料层和第二保护材料层的厚度均小于200um。5.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述量子点薄膜层材料为一种量子点材料或者其与荧光粉形成的混合物、多种量子点材料或其与荧光粉形成的混合物;量子点薄膜层材料的聚集状态为粉末、膜片、油墨或溶液。6.一种如权利要求1至5任一所述封装结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)取小于200um厚度的两片保护材料层,将量子点薄膜层材料涂覆在两层保护材料层形成的密闭空间内,形成具有三明治结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员:申崇渝徐涛张冰刘国旭
申请(专利权)人:易美芯光北京科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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