【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体器件的制造领域,尤其涉及图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器从物体接收光信号且将光信号转化为电信号,接着电信号可以被传输用于进一步的处理,诸如数字化,然后在诸如存储器、光盘或磁盘的存储器件中存储,或用于在显示器上显示、打印等。图像传感器通常用于诸如数字相机、摄像机、扫描仪、传真机等装置。图像传感器通常有两种类型,电荷藕合器件(CCD)传感器和CMOS图像传感器(CIS)。CCD称为光电耦合器件,通过光电效应收集电荷,每行像素的电荷随时钟信号被送到模拟位移寄存器上,然后串行转换为电压。CIS是一种快速发展的固态图像传感器,由于CMOS图像传感器中的图像传感器部分和控制电路部分集成于同一芯片中,因此CMOS图像传感器的体积小、功耗低、价格低廉,相较于传统的CCD(电荷耦合)图像传感器更具优势,也更易普及。然而,现有的图像传感器的光线串扰问题仍有待改善。
技术实现思路
本专利技术技术方案要解决的技术问题是现有的图像传感器的光线串扰问题。为解决上述技术问题,本专利技术技术方案提供一种图像传感器的形成方法,包括:提供半导体衬 ...
【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成分立排列的滤光片隔离结构,所述滤光片隔离结构包括光阻层,其中,光阻层材料为黑色滤光材料;在所述滤光片隔离结构之间形成滤光片。
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成分立排列的滤光片隔离结构,所述滤光片隔离结构包括光阻层,其中,光阻层材料为黑色滤光材料;在所述滤光片隔离结构之间形成滤光片。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述在所述半导体衬底上形成分立排列的滤光片隔离结构包括:在所述半导体衬底上形成分立排列的栅格结构;采用旋涂工艺在所述半导体衬底和栅格结构上涂布光阻层材料;对所述光阻层材料进行曝光显影,形成光阻层,所述光阻层包覆所述栅格结构,所述滤光片隔离结构包括所述栅格结构和光阻层;进行烘烤工艺。3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述在所述半导体衬底上形成分立排列的滤光片隔离结构包括:采用旋涂工艺在所述半导体衬底上涂布光阻层材料;对所述光阻层材料进行曝光显影,形成滤光片隔离结构;进行烘烤工艺。4.如权利要求2或3所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述烘烤工艺的温度为180℃~300℃,时间为60s~180s。5.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:何延强,林宗德,黄仁德,
申请(专利权)人:德淮半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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