一种薄膜晶体管的制备方法和薄膜晶体管技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管的制备方法和薄膜晶体管，涉及TFT‑LCD技术领域。其中，薄膜晶体管包括衬底；同层设置在衬底上的栅极和第一极；形成在第一极上的有源层，有源层在衬底上的正投影至少部分覆盖第一极在衬底上的正投影；第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的第二极，第二极在衬底上的正投影至少部分覆盖有源层在衬底上的正投影，且第二极通过第一绝缘层上的过孔与有源层连接。本发明专利技术中，第一极和第二极位于不同层，有源层位于第一极和第二极之间，相应的，薄膜晶体管的沟道长度为第一极第二极之间的有源层厚度，而有源层的厚度在工艺上的控制精度较高，因此，能够减小沟道长度，从而降低载流子传输过程中的阻抗，提高薄膜晶体管的驱动能力。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管的制备方法和薄膜晶体管
本专利技术涉及TFT-LCD
，特别是涉及一种薄膜晶体管的制备方法和薄膜晶体管。
技术介绍
显示装置中的阵列基板包括多个像素区，每个像素区均设置有用于控制像素显示的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)。在现有的TFT中，漏极和源极同层设置，TFT的沟道长度为源漏极之间的距离，然而，由于TFT曝光设备精度普遍较低，因而源漏极之间的距离很难减小，从而使得TFT的沟道长度无法进一步减小，相应地，沟道的有源层阻抗较大，不利于载流子的传输，因此，现有的TFT驱动能力较差。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜晶体管的制备方法和薄膜晶体管，以解决现有的TFT驱动能力较差的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种薄膜晶体管，包括：衬底；栅极和第一极，所述栅极和所述第一极同层设置在所述衬底上；有源层，所述有源层形成在所述第一极上，所述有源层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述第一极在所述衬底上的正投影；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极、所述第一极、所述有源层、所述衬底在所述栅极与所述有源层之间露出的部分，以及所述衬底在所述栅极和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极和第一极，所述栅极和所述第一极同层设置在所述衬底上；有源层，所述有源层形成在所述第一极上，所述有源层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述第一极在所述衬底上的正投影；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极、所述第一极、所述有源层、所述衬底在所述栅极与所述有源层之间露出的部分，以及所述衬底在所述栅极与所述第一极之间露出的部分；第二极，所述第二极形成在所述第一绝缘层上，所述第二极在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影，且所述第二极通过所述第一绝缘层上的过孔与所述有源层连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极和第一极，所述栅极和所述第一极同层设置在所述衬底上；有源层，所述有源层形成在所述第一极上，所述有源层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述第一极在所述衬底上的正投影；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极、所述第一极、所述有源层、所述衬底在所述栅极与所述有源层之间露出的部分，以及所述衬底在所述栅极与所述第一极之间露出的部分；第二极，所述第二极形成在所述第一绝缘层上，所述第二极在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影，且所述第二极通过所述第一绝缘层上的过孔与所述有源层连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一极在层叠方向上的厚度值小于所述栅极在所述层叠方向上的厚度值，且所述栅极与所述第一极之间的厚度差值小于预设差值。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极包括层叠设置的第一金属膜层和第二金属膜层，所述第一金属膜层靠近所述衬底设置，所述第一极包括所述第一金属膜层。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二极在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述第一极在所述衬底上的正投影。5.根据权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极为环形结构，所述第一极至少部分位于所述环形结构围成的区域内。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述环形结构具有开口，所述第一极包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述环形结构围成的区域内，所述第二部分与所述第一部分连接并通过所述开口延伸出所述环形结构；所述有源层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一极的第一部分在所述衬底上的正投影。7.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周宏儒，王恺，高坤坤，董晓楠，王兆君，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11