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本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法和薄膜晶体管，涉及TFT‑LCD技术领域。其中，薄膜晶体管包括衬底；同层设置在衬底上的栅极和第一极；形成在第一极上的有源层，有源层在衬底上的正投影至少部分覆盖第一极在衬底上的正投影；第一绝缘层；形成在第一...该专利属于京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司授权不得商用。