【技术实现步骤摘要】
一种低气体含量电解钴的制备方法
本专利技术属于电解精炼
,具体涉及一种低气体含量电解钴的制备方法。
技术介绍
高纯度和高物理质量的电解钴被用来制备先进电子元件靶材,钴靶材中的杂质和气体含量将严重影响电子器件的使用性能,气体杂质(如O)可以增加半导体元件的电阻,所以低气体含量电解钴的制备对提高钴靶材的质量有着重要的意义。在国内,上海有色金属研究所、金川钴镍设计研究院、北京有色金属研究总院和北京矿冶总院采用离子交换和电解精炼制备得到纯度达99.999%的高纯电解钴,但都未进行低气体含量电解钴制备的研究。金属钴电解时,阴极上除了钴的还原反应外,在一定条件下,也会发生氢的析出反应,即“氢脆”现象,氢气析出后,若滞留于阴极板面,将与沉积钴包裹、溶解等作用,使阴极上气体含量增大,一方面在阴极表面形成气孔,降低电流效率,另一方面,阴极表面有气孔而导致阴极板面疏松,导致电解钴物理质量不合格。文献“消除电钴表面气孔的工艺研究”指出,钴沉积过程阳极质量不好引起阳极效应、浓差极化使阴极气孔增多,电钴的生产一般需添加硼酸,稳定pH4.0~4.5,可以消除气孔。同时,电解和区域熔炼法可以有效去除钴中的碱土金属和气体杂质。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种低气体含量电解钴的制备方法,具体技术方案如下:1)钴氨体系:将质量分数10%~15%的氨水加入配好的氯化钴溶液中充分发生络合反应,得到钴氨溶液;2)溶液循环:将步骤1)所得溶液通入隔膜电解槽中,单个阴极区内流速3L/h~4L/h;3)电解:采用脉冲电源电解沉积钴,控制占空比40:1,电沉积钴极板中气体元素氧低于10ppm, ...
【技术保护点】
1.一种低气体含量电解钴的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)钴氨体系:将质量分数10%~15%的氨水加入氯化钴溶液中发生络合反应,得到钴氨溶液;2)溶液循环:将步骤1)所得溶液通入隔膜电解槽中,单个阴极隔膜区内流速3L/h~4L/h;3)电解:采用脉冲电源电解沉积钴,控制占空比40:1,电沉积钴极板中气体元素氧低于10ppm,碳低于5ppm。
【技术特征摘要】
1.一种低气体含量电解钴的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)钴氨体系:将质量分数10%~15%的氨水加入氯化钴溶液中发生络合反应,得到钴氨溶液;2)溶液循环:将步骤1)所得溶液通入隔膜电解槽中,单个阴极隔膜区内流速3L/h~4L/h;3)电解:采用脉冲电源电解沉积钴,控制占空比40:1,电沉积钴...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘丹,贺昕,熊晓东,李轶轁,罗俊锋,万小勇,张巧霞,徐国进,刘晓,
申请(专利权)人:有研亿金新材料有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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