一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法，特点是先制备金银合金靶材，再通过磁控溅射制备金银合金薄膜，然后对金银合金薄膜脱合金，清洗干燥后得到具有纳米孔结构的金电极；优点是其工艺简单，耗时较短，对材料没有损伤，且制备得到的金电极的纳米孔均匀、孔径较小、孔隙率高，使得金电极具有足够的韧性，不易损坏；此外，在制备金银合金薄膜时，将铬膜和金膜作为粘结层，可有效防止金银合金薄膜从硅片上脱落，使得金银合金薄膜溅射沉积均匀，进一步保证了金电极的使用性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法
本专利技术涉及材料科学与工程领域中电极的制备，尤其涉及一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法。
技术介绍
金属纳米材料因为其尺寸效应和表面效应，能够表现出与宏观材料迥然不同的特性，在表面改性、传感、光学、催化以及能源转换与储存等多个领域具有广泛的应用潜力。因此探索简单易行的合成方法用于制备各种形态的金属微纳米结构是微纳米科学领域的一项重要课题，研究结果具有重要使用价值。目前已有多种技术可以实现金属微纳米结构的合成与制备，例如气相物理沉积、气相化学沉积、溶液凝胶法、电弧放电法、溅射沉积法、模板法、前躯体分解法等等。而大多数的制备方法都存在一定的缺陷，比如：溶胶凝胶法在凝胶生成时，因为颗粒间结构的固定化，可以有效地抑制晶体的生长，但是它的缺点也很明显：合成周期长、成本高，限制了其应用。前躯体分解法首先合成纳米材料的前躯体，然后结合高温煅烧前躯体合成多孔纳米电极。该方法比较简单，但合成的多孔电极受前驱体的影响比较大，往往不能得到理想的多孔纳米电极。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种材料无损伤，且纳米孔均匀、孔径小，电极的韧性好的基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法，包括以下具体步骤：（1）、制备金银合金靶材：将纯金、纯银按原子比65:35进行混合，在氩气气氛中进行熔炼及浇注，待铸模冷却后取出金银合金锭，得到金银合金靶材；（2）、制备金银合金薄膜：将200～400μm厚度的硅片置于磁控溅射设备中，先以纯铬为靶材，溅射沉积一层10～20nm厚度的铬膜，再以纯金为靶材，在铬膜上溅射沉积一层10～20nm厚度的金膜，最后以金银合金为靶材，在金膜上溅射沉积一层100～1000nm厚度的金银合金薄膜；（3）、脱合金：将金银合金薄膜切割成金银合金薄膜电极，并置入摩尔浓度为14.4～15.2mol/L的浓硝酸溶液中，在室温下进行化学脱合金；（4）、清洗干燥：将脱合金后的薄膜取出，依次使用去离子水、丙酮和酒精浸泡清洗1～2分钟，取出干燥后得到具有纳米孔结构的金电极。进一步地，所述的步骤（1）中的熔炼为电弧熔炼或感应熔炼。进一步地，所述的步骤（3）中，金银合金薄膜电极的化学脱合金时间为24小时以上。进一步地，所制备得到的金电极的孔径为20～50nm。与现有技术相比，本专利技术的优点是其工艺简单，耗时较短，对材料没有损伤，且制备得到的金电极的纳米孔均匀、孔径较小、孔隙率高，使得金电极具有足够的韧性，不易损坏；同时，可以通过对腐蚀过程条件和时间的控制等手段实现对纳米孔的形貌、尺寸的连续调控，得到符合要求的金电极；此外，在制备金银合金薄膜时，将铬膜和金膜作为粘结层，可有效防止金银合金薄膜从硅片上脱落，使得金银合金薄膜溅射沉积均匀，进一步保证了金电极的使用性能。附图说明图1为本专利技术所制备得到的金银合金薄膜及化学脱合金后的XRD图谱；图2为本专利技术所制备得到的金银合金薄膜及化学脱合金后的EDS图谱；图3为本专利技术所制备得到的纳米孔结构金电极的SEM照片。具体实施方式以下结合附图实施例对本专利技术作进一步详细描述。实施例一：一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法，包括以下具体步骤：（1）、制备金银合金靶材：将纯金、纯银按原子比65:35进行混合，在氩气气氛中进行熔炼及浇注，待铸模冷却后取出金银合金锭，得到金银合金靶材；（2）、制备金银合金薄膜：将200μm厚度的硅片置于磁控溅射设备中，先以纯铬为靶材，溅射沉积一层10nm厚度的铬膜，再以纯金为靶材，在铬膜上溅射沉积一层10nm厚度的金膜，最后以金银合金为靶材，在金膜上溅射沉积一层100nm厚度的金银合金薄膜；（3）、脱合金：将金银合金薄膜切割成金银合金薄膜电极，并置入摩尔浓度为14.4mol/L的浓硝酸溶液中，在室温下进行化学脱合金24小时；（4）、清洗干燥：将脱合金后的薄膜取出，依次使用去离子水、丙酮和酒精浸泡清洗2分钟，取出干燥后得到具有孔径为20～50nm的纳米孔结构的金电极。实施例二：一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法，包括以下具体步骤：（1）、制备金银合金靶材：将纯金、纯银按原子比65:35进行混合，在氩气气氛中进行熔炼及浇注，待铸模冷却后取出金银合金锭，得到金银合金靶材；（2）、制备金银合金薄膜：将300μm厚度的硅片置于磁控溅射设备中，先以纯铬为靶材，溅射沉积一层15nm厚度的铬膜，再以纯金为靶材，在铬膜上溅射沉积一层15nm厚度的金膜，最后以金银合金为靶材，在金膜上溅射沉积一层500nm厚度的金银合金薄膜；（3）、脱合金：将金银合金薄膜切割成金银合金薄膜电极，并置入摩尔浓度为15mol/L的浓硝酸溶液中，在室温下进行化学脱合金30小时；（4）、清洗干燥：将脱合金后的薄膜取出，依次使用去离子水、丙酮和酒精浸泡清洗2分钟，取出干燥后得到具有孔径为20～50nm的纳米孔结构的金电极。实施例三：一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法，包括以下具体步骤：（1）、制备金银合金靶材：将纯金、纯银按原子比65:35进行混合，在氩气气氛中进行熔炼及浇注，待铸模冷却后取出金银合金锭，得到金银合金靶材；（2）、制备金银合金薄膜：将400μm厚度的硅片置于磁控溅射设备中，先以纯铬为靶材，溅射沉积一层20nm厚度的铬膜，再以纯金为靶材，在铬膜上溅射沉积一层20nm厚度的金膜，最后以金银合金为靶材，在金膜上溅射沉积一层1000nm厚度的金银合金薄膜；（3）、脱合金：将金银合金薄膜切割成金银合金薄膜电极，并置入摩尔浓度为15.2mol/L的浓硝酸溶液中，在室温下进行化学脱合金40小时；（4）、清洗干燥：将脱合金后的薄膜取出，依次使用去离子水、丙酮和酒精浸泡清洗2分钟，取出干燥后得到具有孔径为20～50nm的纳米孔结构的金电极。从附图1可知，脱合金后制备的纳米孔结构金电极由纯金相构成，从附图2可知，金银合金薄膜在脱合金前具有金和银的两个衍射峰，在脱合金之后经检测只剩下金峰，说明通过脱合金之后去除了合金中的银元素，最终得到纯金相的纳米孔结构金电极。而从附图3可看到，该金电极的孔径尺寸约为20～50nm，韧带直径约为60～80nm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法，其特征在于包括以下具体步骤：（1）、制备金银合金靶材：将纯金、纯银按原子比65:35进行混合，在氩气气氛中进行熔炼及浇注，待铸模冷却后取出金银合金锭，得到金银合金靶材；（2）、制备金银合金薄膜：将200～400μm厚度的硅片置于磁控溅射设备中，先以纯铬为靶材，溅射沉积一层10～20nm厚度的铬膜，再以纯金为靶材，在铬膜上溅射沉积一层10～20nm厚度的金膜，最后以金银合金为靶材，在金膜上溅射沉积一层100～1000nm厚度的金银合金薄膜；（3）、脱合金：将金银合金薄膜切割成金银合金薄膜电极，并置入摩尔浓度为14.4～15.2mol/L的浓硝酸溶液中，在室温下进行化学脱合金；（4）、清洗干燥：将脱合金后的薄膜取出，依次使用去离子水、丙酮和酒精浸泡清洗1～2分钟，取出干燥后得到具有纳米孔结构的金电极。

【技术特征摘要】
1.一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法，其特征在于包括以下具体步骤：（1）、制备金银合金靶材：将纯金、纯银按原子比65:35进行混合，在氩气气氛中进行熔炼及浇注，待铸模冷却后取出金银合金锭，得到金银合金靶材；（2）、制备金银合金薄膜：将200～400μm厚度的硅片置于磁控溅射设备中，先以纯铬为靶材，溅射沉积一层10～20nm厚度的铬膜，再以纯金为靶材，在铬膜上溅射沉积一层10～20nm厚度的金膜，最后以金银合金为靶材，在金膜上溅射沉积一层100～1000nm厚度的金银合金薄膜；（3）、脱合金：将金银合金薄膜切割成金银合金薄膜电极，并置入摩尔浓度为14.4～15...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁思渊，高清远，黄金磊，李淑欣，
申请(专利权)人：宁波大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33