垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜制造技术

本发明专利技术提供了一种垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜，从内到外依次包括：Si基片、Fe3O4层、FeCo层、第一FeNdB层、第一FePt层、第二FeNdB层、金属Mn层以及第二FePt层，其中，Fe3O4层的厚度为10‑20nm，FeCo层的厚度为15‑25nm，第一FeNdB层的厚度为35‑50nm、第一FePt层的厚度为15‑25nm、第二FeNdB层的厚度为25‑45nm、金属Mn层的厚度为10‑20nm以及第二FePt层的厚度为20‑30nm。由于本发明专利技术独特的非对称式层结构，使得本发明专利技术的Fe基多层薄具有显著的垂直磁各项异性，同时在膜层厚度进行大幅度变化时，由于铁磁性原子之间的强化耦合的作用，本发明专利技术的复合膜层仍然能够保证大的垂直磁各项异性。本发明专利技术的复合膜层生产工艺要求宽松，生产效率高，生产成本低。

【技术实现步骤摘要】
垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜
本专利技术属于纳米层状材料
，涉及一种垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜。
技术介绍
垂直磁记录被誉为足“打开TB存储级别的钥匙”，从1976年垂区磁记录首先在实验上获得成功，到2005垂直磁记录硬盘开始生产，再到现在垂直磁记录完全取代了水平磁记录，仅仅经历了30年的时问，而记录密度却已经提高了近百倍。相对于水平磁记录，垂直磁记录有以下优点：一是在垂直磁记录中，相邻记录位的磁化相互巩固，并且该退磁场随着记录密度的提高而减弱，因此它能轻易实现更高密度的存储水平。其次是垂直磁记录有更高的磁头写入场。磁头的磁场通过记录介质和软磁层形成闭合回路，从而进行写入；由于镜像，相当于将介质放在磁头缝隙中，因而具有很高的写入场。而水平磁记录磁头则是通过磁头的散磁场直接进行写入，相对较小。最后，水平记录中的散磁场随介质厚度的增加显著减小，为了获得均匀的磁场，必须使用很薄的介质；而垂直记录的记录介质可以使用较厚的介质，因此具有更好的热稳定性。公开于该
技术介绍
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【技术保护点】
1.一种垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜，其特征在于：所述垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜从内到外依次包括：Si基片、Fe3O4层、FeCo层、第一FeNdB层、第一FePt层、第二FeNdB层、金属Mn层以及第二FePt层，其中，所述Fe3O4层的厚度为10‑20nm，所述FeCo层的厚度为15‑25nm，所述第一FeNdB层的厚度为35‑50nm、所述第一FePt层的厚度为15‑25nm、所述第二FeNdB层的厚度为25‑45nm、所述金属Mn层的厚度为10‑20nm以及所述第二FePt层的厚度为20‑30nm。

【技术特征摘要】
1.一种垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜，其特征在于：所述垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜从内到外依次包括：Si基片、Fe3O4层、FeCo层、第一FeNdB层、第一FePt层、第二FeNdB层、金属Mn层以及第二FePt层，其中，所述Fe3O4层的厚度为10-20nm，所述FeCo层的厚度为15-25nm，所述第一FeNdB层的厚度为35-50nm、所述第一FePt层的厚度为15-25nm、所述第二FeNdB层的厚度为25-45nm、所述金属Mn层的厚度为10-20nm以及所述第二FePt层的厚度为20-30nm。2.如权利要求1所述的垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜，其特征在于：其中，所述Fe3O4层是由如下方法制备的：由射频磁控溅射法在所述Si基片上沉积Fe3O4层，溅射靶材为金属Fe靶，溅射气氛为氧气，氧气流量为30-50sccm，溅射功率为100-200W，溅射电压为50-100V，基片温度为300-400℃。3.如权利要求1所述的垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜，其特征在于：其中，所述FeCo层是由如下方法制备的：由直流磁控溅射法在所述Fe3O4层上沉积FeCo层，溅射靶材为金属FeCo靶，溅射气氛为氩气，氩气流量为60-80sccm，溅射功率为150-250W，溅射电压为100-150V，基片温度为300-400℃，其中，在所述金属FeCo靶中，Fe与Co的原子比为(1-4)：1。4.如权利要求1所述的垂直磁各向异性增强的Fe基多层薄膜，其特征在于：其中，所述第一FeNdB层是由如下方法制备的：由射频磁控溅射法在所述FeCo层上沉积第一FeNdB层，溅射靶材为金属FeNdB靶，溅射气氛为氩气，氩气流量为50-70sccm，溅射功率为250-450W...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华疆，
申请(专利权)人：泉州凯华新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35