一种垂直磁各向异性薄膜制造技术

一种垂直磁各向异性薄膜，其易磁化轴方向垂直于薄膜平面，属于磁性材料领域。其特征在于：薄膜组分为Ｔｂ↓［ｘ］（Ｃｏ↓［２］ＦｅＺ）↓［ｙ］，其中Ｚ为Ａｌ、Ｓｉ等元素，Ｃｏ↓［２］ＦｅＺ为半金属Ｈｅｕｓｌｅｒ合金组分，Ｔｂ和Ｆｅ原子的比例ｘ∶ｙ为０．２＜（ｘ∶ｙ）＜２。本发明专利技术的优点在于：该薄膜具有高垂直磁各向异性场，可以通过控制原子组分比调节矫顽力，并显著低于传统垂直磁各向异性膜的矫顽力，因此它可以作为铁磁层应用于垂直自旋阀或磁隧道结中，应用时能够克服小尺寸下的磁卷缩和涡旋磁畴结构，且矫顽力可调，能够满足超高灵敏度和存储密度的磁传感器或存储器的使用要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁性材料领域，特别涉及一种新型垂直磁各向异性薄膜，其易磁化轴方向垂直于薄膜平面。
技术介绍
近年来磁存储技术飞速发展，磁存储密度不断提高，存储单元的尺寸逐渐减小。目 前使用的磁性金属纳米薄膜的磁化方向都是在膜面内，即具有平面内磁各向异性，这种 薄膜的尺寸降低到亚微米以下时，会遇到一系列难题，例如薄膜磁化巻縮(magnetization curling)、涡流磁化(Vortex magnetization),甚至超顺磁性等。 针对这些问题，有学者提出了一种具有垂直膜面磁各向异性的磁性金属纳米多层膜，即磁各向异性的易轴垂直于膜面。这种薄 膜可以进一步做成自旋阀或隧道结等，加工成亚微米甚至更小尺寸的元件时，可以同时 克服平面内磁各向异性磁性膜的三大致命缺陷——磁化巻缩、涡流磁畴和超顺磁，能够 解决磁存储技术发展所遇到的尺寸瓶颈问题。目前垂直磁各向异性薄膜主要有(Co/Pt)n, (Co/Ni)n, FePt和TbCoFe等结构(n表示双层膜重复次数)。但迄今为止，所有垂直磁各向异性薄膜的性能都不是很理想，特别是它 们的矫顽力过高，难以翻转，不适合用作计算机读出磁头或磁场传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直磁各向异性薄膜，其特征在于：薄膜组分为Ｔｂ↓［ｘ］（Ｃｏ↓［２］ＦｅＺ）↓［ｙ］，其中Ｚ为Ａｌ或Ｓｉ元素，Ｃｏ↓［２］ＦｅＺ为半金属Ｈｅｕｓｌｅｒ合金组分，Ｔｂ与Ｆｅ原子比为ｘ∶ｙ，０．２＜（ｘ∶ｙ）＜２。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓光，李晓其，姜勇，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]