电容式传感器的读出电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种电容式传感器的读出电路，包括运算放大器、第一电容、第二电容、第一电阻以及第二电阻，其中，所述第一电阻和所述第二电阻为有源电阻；所述运算放大器的反相输入端连接电容式传感器的一个输出端、所述第一电容的一端以及所述第一电阻的一端，所述运算放大器的同相输出端连接所述第一电容的另一端和所述第一电阻的另一端；所述运算放大器的同相输入端连接电容式传感器的另一个输出端、所述第二电容的一端以及所述第二电阻的一端，所述运算放大器的反相输出端连接所述第二电容的另一端和所述第二电阻的另一端。本实用新型专利技术提供的电容式传感器的读出电路，能够减小反馈电阻占用的芯片面积。

【技术实现步骤摘要】
电容式传感器的读出电路
本技术涉及传感器
，尤其涉及一种电容式传感器的读出电路。
技术介绍
随着微机电系统(MEMS，MicroElectroMechanicalSystem)技术的发展，电容式传感器得到了广泛的应用。由于电容式传感器具有体积小、响应快、功耗低以及易于集成等优点，使得国际学术界和工业界对它的关注度越来越高。采用电容式传感器研究得到的压力传感器、加速度传感器以及角速度计等产品，在民用与军用领域均得到了广泛的应用。电容式传感器是以各种类型的电容作为传感元件，将被测物理量或机械量转换为电容量变化的一种转换装置，实际上它就是一个具有可变参数的电容器。电容式传感器把被测物理量转换为电容变化后，需要读出电路将电容量转换成电量。目前，较常采用的读出电路有电桥电路、调频电路、脉冲调宽电路以及运算放大器电路等。对于运算放大器电路来说，主要要求为低功耗与高输入阻抗。假如要获得频带响应较好的运算放大器电路，要求连接于放大器两端的反馈电阻的阻值至少为100兆欧姆以上。现有技术中，通常采用CMOS工艺的无源电阻作为反馈电阻，为了满足反馈电阻的高阻值要求，反馈电阻占用的面积非常大。因此，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容式传感器的读出电路，其特征在于，包括运算放大器、第一电容、第二电容、第一电阻以及第二电阻，其中，所述第一电阻和所述第二电阻为有源电阻；所述运算放大器的反相输入端连接电容式传感器的一个输出端、所述第一电容的一端以及所述第一电阻的一端，所述运算放大器的同相输出端连接所述第一电容的另一端和所述第一电阻的另一端；所述运算放大器的同相输入端连接电容式传感器的另一个输出端、所述第二电容的一端以及所述第二电阻的一端，所述运算放大器的反相输出端连接所述第二电容的另一端和所述第二电阻的另一端。

【技术特征摘要】
1.一种电容式传感器的读出电路，其特征在于，包括运算放大器、第一电容、第二电容、第一电阻以及第二电阻，其中，所述第一电阻和所述第二电阻为有源电阻；所述运算放大器的反相输入端连接电容式传感器的一个输出端、所述第一电容的一端以及所述第一电阻的一端，所述运算放大器的同相输出端连接所述第一电容的另一端和所述第一电阻的另一端；所述运算放大器的同相输入端连接电容式传感器的另一个输出端、所述第二电容的一端以及所述第二电阻的一端，所述运算放大器的反相输出端连接所述第二电容的另一端和所述第二电阻的另一端。2.如权利要求1所述的电容式传感器的读出电路，其特征在于，所述第一电阻包括第一MOS管组和第二MOS管，所述第二电阻包括第二MOS管组和第四MOS管，所述第一MOS管组包括至少一个第一MOS管，所述第二MOS管组包括至少一个第三MOS管；所述第一MOS管组中的第一MOS管成串联结构，每个第一MOS管的控制端连接所述第二MOS管的控制端和所述第二MOS管的第一端并适于接收第一偏置电流，所述第一MOS管组的一端作为所述第一电阻的一端，所述第一MOS管组的另一端连接所述第二MOS管的第二端并作为所述第一电阻的另一端；所述第二MOS管组中的第三MOS管成串联结构，每个第三MOS管的控制端连接所述第四MOS管的控制端和所述第四MOS管的第一端并适于接收第二偏置电流，所述第二MOS管组的一端作为所述第二电阻的一端，所述第二MOS管组的另一端连接所述第四MOS管的第二端并作为所述第二电阻的另一端。3.如权利要求2所述的电容式传感器的读出电路，其特征在于，所述第一MOS管、所述第二MOS管、所述第三MOS管以及所述第四MOS管均为PMOS管；所述第一MOS管组的一端、所述第二MOS管的第一端、所述第二MOS管组的一端以及所述第四MOS管的第一端为PMOS管的漏极，所述第一MOS管组的另一端、所述第二MOS管的第二端、所述第二MOS管组的另一端以及所述第四MOS管的第二端为PMOS管的源极，所述第一MOS管的控制端、所述第二MOS管的控制端、所述第二MOS管的控制端以及所述第四MOS管的控制端为PMOS管的栅极。4.如权利要求2所述的电容式传感器的读出电路，其特征在于，所述第一偏置电流的电流值和所述第二偏置电流的电流值相等。5.如权利要求4所述的电容式传感器的读出电路，其特征在于，所述第一MOS管的尺寸和所述第三MOS管的尺寸相等，所述第一MOS管的数量和所述第三MOS管的数量相等，所述第二MOS管的尺寸和所述第四MOS管的尺寸相等。6.如权利要求2所述的电容式传感器的读出电路，其特征在于，还包括提供所述第一偏置电流和所述第二偏置电流的电流镜。7.如权利要求6所述的电容式传感器的读出电路，其特征在于，所述电流镜包括第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管以及第十一MO...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹波，刘孟良，
申请(专利权)人：深迪半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31