基于改进型负载电流复制结构的快速响应LDO制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于改进型负载电流复制结构的快速响应LDO。包括误差放大器、改进型负载电流复制结构，所述改进型负载电流复制结构由N个相同的缓冲级结构组成，所述误差放大器的输出端分别与所述N个缓冲级结构的输入端连接，误差放大器的第一输入端连接至基准电压源，误差放大器的第二输入端与第1缓冲级结构的输出端连接，第2至第N缓冲级结构的输出端相连接作为整个快速响应LDO的输出端，第2缓冲级结构的输出端还经一电容连接至GND。本实用新型专利技术具有低功耗、快速瞬态响应的特性，使其在音频Sigma‑delta调制器中应用拥有广泛的前景。

Fast Response LDO Based on Improved Load Current Replication Architecture

The utility model relates to a fast response LDO based on an improved load current replication structure. Including an error amplifier and an improved load current replication structure, the improved load current replication structure consists of N identical buffer stages. The output end of the error amplifier is connected to the input end of the N buffer stages respectively. The first input end of the error amplifier is connected to the reference voltage source, and the error amplification is realized. The second input end of the device is connected with the output end of the first buffer stage structure, and the output end of the second to the N buffer stage structure is connected as the output end of the whole fast response LDO. The output end of the second buffer stage structure is also connected to GND through a capacitor. The utility model has the characteristics of low power consumption and fast transient response, so that it has wide application prospects in audio Sigma Delta modulator.

【技术实现步骤摘要】
基于改进型负载电流复制结构的快速响应LDO
本技术应用于音频Sigma-delta调制器中，具体涉及一种基于改进型负载电流复制结构的快速响应LDO。
技术介绍
随着便携式消费类电子如手机、电脑的普及及集成电路系统的高速发展，电源管理芯片在集成电路领域发挥着越来越重要的作用。低压差线性稳压器（LowDropoutRegulator，简称LDO）作为直流电源管理芯片的一员，以其低成本、低噪声、高精度以及简单的外围电路等优势被普遍应用于集成系统之中。随着市场的变化以及电子技术的不断进步，尤其是片上系统（SystemonaChip，简称SoC）的快速发展，无电容型LDO成为LDO设计的主流，设计人员对LDO芯片的性能也提出了更高的要求，低功耗、高电源抑制比、快速响应逐渐成为无电容型LDO芯片的研究热点和发展趋势。瞬态响应一直是LDO的一个关键性指标，以往都是通过提高LDO中误差放大器的压摆率或是增大LDO控制环路带宽从而改进瞬态响应速度。我们知道提高摆率主要的方法有增大误差放大器的尾电流或减小功率管的宽长比来减小寄生电容的大小，但是在LDO的设计中，通常为了低压降把功率管的尺寸设置的较大，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于改进型负载电流复制结构的快速响应LDO，其特征在于，包括误差放大器、改进型负载电流复制结构，所述改进型负载电流复制结构由N个相同的缓冲级结构组成，所述误差放大器的输出端分别与所述N个缓冲级结构的输入端连接，误差放大器的第一输入端连接至基准电压源，误差放大器的第二输入端与第1缓冲级结构的输出端连接，第2至第N缓冲级结构的输出端相连接作为整个快速响应LDO的输出端，第2缓冲级结构的输出端还经一电容连接至GND。

【技术特征摘要】
1.一种基于改进型负载电流复制结构的快速响应LDO，其特征在于，包括误差放大器、改进型负载电流复制结构，所述改进型负载电流复制结构由N个相同的缓冲级结构组成，所述误差放大器的输出端分别与所述N个缓冲级结构的输入端连接，误差放大器的第一输入端连接至基准电压源，误差放大器的第二输入端与第1缓冲级结构的输出端连接，第2至第N缓冲级结构的输出端相连接作为整个快速响应LDO的输出端，第2缓冲级结构的输出端还经一电容连接至GND。2.根据权利要求1所述的基于改进型负载电流复制结构的快速响应LDO，其特征在于，所述第1缓冲级结构包括第一至第四晶体管、电流源，第一晶体管的控制端作为第1缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏榕山，林家城，卢伟业，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：新型
国别省市：福建,35