电流镜装置及相关放大电路制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电流镜装置，该电流镜装置包含一输入端、一输出端、第一至第三晶体管，以及一运算放大器。输入端用来接收一输入信号，而输出端用来输出放大后的输入信号。第一晶体管于一第一端接收一参考电流，其第二端耦接于一偏压。第二晶体管的控制端耦接于输入端。第三晶体管的第一端耦接于输出端，第二端耦接于第二晶体管的第一端，而控制端耦接于一参考电压。运算放大器用来将第一晶体管的第一端上的一第一电位以及第二晶体管的第一端上的一第二电位维持实质上相等，以准确地将流经第一晶体管的参考电流放大特定倍而映射成为流经第二晶体管的负载电流。

Current Mirror Device and Related Amplifier Circuit

The invention discloses a current mirror device, which comprises an input terminal, an output terminal, a first to third transistor and an operational amplifier. The input is used to receive an input signal, while the output is used to output the amplified input signal. The first transistor receives a reference current at the first end, and the second end is coupled to a bias voltage. The control end of the second transistor is coupled to the input end. The first end of the third transistor is coupled to the output end, the second end to the first end of the second transistor, and the control end to a reference voltage. Operational amplifiers are used to maintain substantially the first potential at the first end of the first transistor and the second potential at the first end of the second transistor, so as to accurately magnify the reference current flowing through the first transistor by a specific factor and map it to the load current flowing through the second transistor.

【技术实现步骤摘要】
电流镜装置及相关放大电路
本专利技术涉及一种电流镜装置及相关放大电路，尤指一种提升输出电流的稳定性与准确度的电流镜装置及相关放大电路。
技术介绍
电流镜(currentmirror)是类比电路中的基本组件，广泛地应用在各种的电路的偏压与放大级的负载上。正因如此，电流镜的精准映射特性就显得特别重要，其输出电流的稳定性与准确度乃是决定电流镜特性的好与坏。现有技术的电流镜装置通常使用金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。当MOSFET组件工作于线性区时，其有效的沟道长度将会固定不变。但是当其漏极偏压提升至饱和区时会缩短沟道长度，使得饱和区内操作电流与电压关系式并非如理想状态下只和晶体管的栅极-源极电压(VGS)有关，而会因为上述沟道长度调制效应(channellengthmodulationeffect)而相关于晶体管的漏极-源极电压(VDS)。因此，现有技术的电流镜装置容易受到MOSFET工艺(process)和偏压变化影响，无法准确稳定地映射出输出电流。
技术实现思路
本专利技术提供一种放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放大电路，其特征在于，该放大电路包含：一输入端，用来接收一输入信号；一输出端，用来输出放大后的该输入信号；一第一晶体管，其包含：一第一端，用来接收一第一参考电流；一第二端，耦接于一第一偏压；以及一控制端；一第二晶体管，其包含：一第一端；一第二端，耦接于该第一偏压；以及一控制端，耦接于该输入端与该第一晶体管的该控制端；一第三晶体管，其包含：一第一端，耦接于该输出端；一第二端，耦接于该第二晶体管的该第一端；以及一控制端，耦接于一参考电压；以及一运算放大器，用来将该第一晶体管的该第一端上的一第一电位以及该第二晶体管的该第一端上的一第二电位维持相等。

【技术特征摘要】
2017.05.12 TW 1061157011.一种放大电路，其特征在于，该放大电路包含：一输入端，用来接收一输入信号；一输出端，用来输出放大后的该输入信号；一第一晶体管，其包含：一第一端，用来接收一第一参考电流；一第二端，耦接于一第一偏压；以及一控制端；一第二晶体管，其包含：一第一端；一第二端，耦接于该第一偏压；以及一控制端，耦接于该输入端与该第一晶体管的该控制端；一第三晶体管，其包含：一第一端，耦接于该输出端；一第二端，耦接于该第二晶体管的该第一端；以及一控制端，耦接于一参考电压；以及一运算放大器，用来将该第一晶体管的该第一端上的一第一电位以及该第二晶体管的该第一端上的一第二电位维持相等。2.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于，其中该运算放大器包含：一第一端，耦接于该第一晶体管的该第一端；一第二端，耦接于该第二晶体管的该第一端；以及一输出端，耦接于该第一晶体管的该控制端。3.如权利要求2所述的放大电路，其特征在于，该放大电路还包含：一第一滤波电路，耦接于该第二晶体管的该第一端和该运算放大器的该第二端之间。4.如权利要求2所述的放大电路，其特征在于，该放大电路还包含：一第二滤波电路，耦接于该第一晶体管的该控制端和该输入端之间。5.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于，其中该第一晶体管和该第二晶体管具有一致的一第一工艺偏差方向。6.如权利要求1所述的放大电路，其特征在于，该放大电路还包含：一第四晶体管，其包含：一第一端；一第二端，耦接于该第一偏压；以及一控制端；以及一第五晶体管，其包含：一第一端，耦接于一第二偏压；一第二端，耦接于该第四晶体管的该第一端；以及一控制端，耦接于该第三晶体管的该控制端。7.如权利要求6所述的放大电路，其特征在于，其中该第三晶体管和该第五晶体管具有一致的一第二工艺偏差方向。8.如权利要求6所述的放大电路，其特征在于，该放大电路还包含：一第六晶体管，其包含：一第一端，用来接收一第二参考电流；一第二端，耦接于该第一偏压；以及一控制端，耦接于该第四晶体管的该控制端和该第六晶体管的该第一端。9.如权利要求8所述的放大电路，其特征在于，其中该第四晶体管和该第六晶体管具有一致的一第三工艺偏差方向。10.如权利要求6所述的放大电路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智圣，彭天云，
申请(专利权)人：立积电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71