The invention relates to a heterostructure device on a flexible substrate, which belongs to the technical field of electronic devices. The device consists of Polyimide Flexible substrate layer, first conductive film layer, Ga2O3 material layer, VO2 material layer, second conductive film layer and corrosion protection layer from bottom to top. The invention adopts polyimide (PI) material as the substrate, Ga2O3 as the buffer layer, AZO as the conductive electrode of the device, and TiN material as the anti-corrosion protective layer, which can alleviate the problem of large lattice mismatch between polyimide (PI) and VO2 material, and can prepare high-quality VO2 material with greatly improved conductivity. High resistivity, low resistivity and high fusion between TiN film and AZO transparent conductive film can effectively solve the corrosion problem of the device and further improve the service life of the device. The device has high power and can be produced on a large scale.
【技术实现步骤摘要】
一种柔性基片衬底的异质结构器件
本专利技术属于大功率电子器件的
,特别涉及一种柔性基片衬底的异质结构器件。
技术介绍
二氧化钒(VO2)在341K的临界温度(Tc)下发生温度驱动的可逆半导体到金属(SMT)一级转变,并伴随着晶体对称性的改变。在低于Tc的温度下,VO2处于单斜晶相(P21/c)的半导体态,其中V原子对的能量间隙为0.6eV。在高于Tc的温度下,VO2处于四方晶系(P42/mnm)金属态,其中在费米能级和V3d带之间的重叠消除了上述带隙。这种晶体对称性和电子带结构的跃迁通常伴随着其电阻率和近红外传输的突然变化。因此,VO2长期以来被认为是智能材料中的关键材料,凭借这些独特的性能,VO2薄膜已被广泛研究。众所周知,衬底的选择对所生长的薄膜的电学和光学性质有重要的影响。由于其宽带隙(4.49eV)和一些其他优异的性能,氧化镓(Ga2O3)可能是自硅后,新一代重要的半导体材料。特别地,由于其具有更高的可靠性,更长的寿命和更低的功率消耗的优点,目前基于氮化镓的光电子和微电子器件已经步入了新型应用领域。因此,VO2/Ga2O3组合的异质结构可能为固态电子学和光子电子学中的新颖器件结构开辟新的机会。此外,具有开关特性的氧化物半导体的集成也对新兴的基于光子腔的器件和有源材料表现出巨大的潜力。然而,传统的器件结构均采用蓝宝石或者Si基片作为衬底,其衬底不具备柔性性能,造成现有技术中的大功率器件柔性差,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低。
技术实现思路
为了解决现在技术上的不足,本专利技术提供一种柔性基片衬底的异质结构薄膜,有效解决大功率器件柔 ...
【技术保护点】
1.一种柔性基片衬底的异质结构器件,其特征在于:从下到上依次包括聚酰亚胺柔性衬底层、第一导电薄膜层、Ga2O3材料层、VO2材料层、第二导电薄膜层及抗腐蚀保护层。
【技术特征摘要】
1.一种柔性基片衬底的异质结构器件,其特征在于:从下到上依次包括聚酰亚胺柔性衬底层、第一导电薄膜层、Ga2O3材料层、VO2材料层、第二导电薄膜层及抗腐蚀保护层。2.根据权利要求1所述的柔性基片衬底的异质结构器件,其特征在于:所述第一导电薄膜层和第二导电薄膜层均为AZO透明导电薄膜层。3.根据权利要求2所述的柔性基片衬底的异质结构器件,其特征在于:所述AZO透明导电薄膜层厚度为100nm至500nm。4.根据权利要求1所述的柔性基片衬底的异质结构器件,其特征在于:所述抗腐蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员:李双美,张东,何乔,李关民,王敏,
申请(专利权)人:沈阳工程学院,
类型:新型
国别省市:辽宁,21
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