像素阵列基板及其驱动方法技术

一种像素阵列基板及其驱动方法，其中像素阵列基板包括基板、位于基板上的至少一像素结构以及液晶层。至少一像素结构包括微型发光二极管、支撑墙、位于支撑墙与微型发光二极管之间的第一底电极以及设置于支撑墙上且与第一底电极分离的第一顶电极。微型发光二极管包括第一电极、电性连接第一电极的第一半导体层、第二半导体层、位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层以及电性连接第二半导体层的第二电极。液晶层设置于第一底电极上且位于支撑墙与微型发光二极管之间。

Pixel Array Substrate and Its Driving Method

The invention relates to a pixel array substrate and a driving method thereof, in which the pixel array substrate comprises a substrate, at least one pixel structure located on the substrate and a liquid crystal layer. At least one pixel structure includes a micro light emitting diode, a support wall, a first bottom electrode between the support wall and the micro light emitting diode, and a first top electrode arranged on the support wall and separated from the first bottom electrode. The micro light emitting diode includes a first electrode, a first semiconductor layer electrically connected to the first electrode, a second semiconductor layer, a light emitting layer located between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer. The liquid crystal layer is arranged on the first bottom electrode and between the supporting wall and the micro light emitting diode.

【技术实现步骤摘要】
像素阵列基板及其驱动方法
本专利技术涉及一种基板及其驱动方法，且特别涉及一种像素阵列基板及其驱动方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode；LED)为一种发光元件，因其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩饱和度等特性，因而适用于构建发光二极管显示面板的像素结构。微型发光二极管(Micro-LightEmittingDiode；LED)不仅承继发光二极管的特性，同时可将使用微型发光二极管的像素结构的体积缩小至使用发光二极管的像素结构的体积的1％。然而，微型发光二极管的电极垫会遮挡住微型发光二极管所激发出来的光线，导致微型发光二极管光取出效率降低的问题，严重地影响显示面板的品质。因此，目前亟需一种能增加微型发光二极管光取出效率的方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素阵列基板，能解决微型发光二极管光取出效率降低的问题或调整出光角度。本专利技术提供一种像素阵列基板的驱动方法，能解决微型发光二极管光取出效率降低的问题或调整出光角度。本专利技术的一种像素阵列基板，包括基板、位于基板上的至少一像素结构以及液晶层。至少一像素结构包括微型发光二极管、设置于基板上的支撑墙、设置于基板上且位于支撑墙与微型发光二极管之间的第一底电极以及设置于支撑墙上且与第一底电极分离的第一顶电极。微型发光二极管包括第一电极、电性连接第一电极的第一半导体层、至少部分与第一半导体层重叠的第二半导体层、位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层以及电性连接第二半导体层的第二电极。液晶层设置于第一底电极上且位于支撑墙与微型发光二极管之间。本专利技术的一种像素阵列基板的驱动方法，包括先提供像素阵列基板，其中像素阵列基板包括基板、位于基板上的至少一像素结构以及液晶层。至少一像素结构包括微型发光二极管、设置于基板上的第一底电极、位于微型发光二极管的至少两侧的支撑墙以及设置于支撑墙上且与第一底电极分离的第一顶电极。微型发光二极管包括第一电极、电性连接第一电极的第一半导体层、至少部分与第一半导体层重叠的第二半导体层、位于第一半导体层与第二半导体层之间的发光层以及电性连接第二半导体层的第二电极。液晶层设置于第一底电极上且位于支撑墙与微型发光二极管之间。再来，对第一电极施加第一电压、对第一底电极施加第二电压、对第二电极施加第三电压以及对第一顶电极施加第四电压，其中第一电压不同于第三电压且第二电压不同于第四电压。基于上述，本专利技术的像素阵列基板及其驱动方法可以改善像素结构光取出效率降低的问题，或调整出光角度，并可进一步提升显示面板的显示品质。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。图2是根据图1的剖线A-A’示出的像素阵列基板的剖面示意图。图3是依照本专利技术另一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。图4是根据图3的剖线B-B’示出的像素阵列基板的剖面示意图。图5是依照本专利技术另一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。图6是依照本专利技术另一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。附图标记说明：100、200、300、400：像素阵列基板110：基板112：支撑墙112a：第一侧112b：第二侧114：第一电极116：第一半导体层118：发光层120：第二半导体层122：第二电极124、144：绝缘层126、126’：电极垫128：连接结构132：第一信号线134：第二信号线136：对向基板142：焊料A-A’、B-B’：剖线b1：第一底电极b2：第二底电极BM：遮光图案COM：共用电极线d：距离D：漏极DL：数据线G：栅极LC：液晶层LED、LED1、LED2：微型发光二极管PX、PX1、PX2：像素结构S：源极SL：扫描线T：主动元件t1：第一顶电极t2：第二顶电极α1、α2：夹角具体实施方式在下文中将参照附图更全面地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本专利技术的构思或范围。除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或(and/or)公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。图1是依照本专利技术一实施例的一种像素阵列基板的俯视示意图。图2是根据图1的剖线A-A’示出的像素阵列基板的剖面示意图。请参照图1及图2，本实施例的像素阵列基板100包括基板110、像素阵列以及液晶层LC。基板110的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、金属、或是其它可适用的材料。基板110上包括设置有像素阵列。像素阵列包括多条扫描线SL、多条数据线DL、多条第一信号线132、至少一像素结构PX以及共用电极线COM，为了方便说明，仅以一条扫描线SL、一条数据线DL、一条第一信号线132、一个像素结构PX以及一条共用电极线COM为例。扫描线SL与数据线DL彼此交错设置，且每一个像素结构电性连接于所对应的扫描线SL的其中一条和所对应的数据线DL的其中一条。本专利技术的实施例，是以扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不平行为例。举例来说，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向互相垂直。扫描线SL与数据线DL一般是使用金属材料。然，本专利技术不限于此，根据其他实施例，扫描线SL与数据线DL也可以使用其他导电材料(例如：金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料)或是金属材料与其它导电材料的堆叠层。图2还示出设置于像素阵列基板100的对向侧的对向基板136，对向基板136上例如可以包括滤光图案、波长转换材料或其他构件。请继续参考图1及图2，至少一像素结构PX位于基板110上。像素结构PX包括主动元件T、微型发光二极管LED、支撑墙112、第一底电极b1、第二底电极b2以及第一顶电极t1。主动元件T可以是底部栅极型薄膜晶体管或是顶部栅极型薄膜晶体管，其包括栅极G、源极S、漏极D以及通道CH。主动元件T的栅极G电性连接至扫描线SL其中的一者，主动元件T的源极S电性连接至数据线DL其中的一者，且主动元件T的漏极D电性连接至微型发光二极管LED的一端。在一些实施例中，主动元件T与微型发光二极管LED之间还通过其他驱动元件电性连接，但本专利技术不以此为限。请继续参考图1，在本实施例中，共用电极线COM包括延伸方向与扫描线SL延伸方向平行的主干以及自主干部朝向像素结构PX延伸的分支，其中共用电极线COM的分支与电极垫126’电性连接。共用电极线COM可为透明导电图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素阵列基板，包括：一基板；至少一像素结构，位于该基板上，该至少一像素结构包括：一微型发光二极管，包括：一第一电极；一第一半导体层，电性连接该第一电极；一第二半导体层，至少部分与该第一半导体层重叠；一发光层，位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间；以及一第二电极，电性连接该第二半导体层；一支撑墙，设置于该基板上；一第一底电极，设置于该基板上，且位于该支撑墙与该微型发光二极管之间；以及一第一顶电极，设置于该支撑墙上，且与该第一底电极分离；以及一液晶层，设置于该第一底电极上，且位于该支撑墙与该微型发光二极管之间。

【技术特征摘要】
2018.05.10 TW 1071159971.一种像素阵列基板，包括：一基板；至少一像素结构，位于该基板上，该至少一像素结构包括：一微型发光二极管，包括：一第一电极；一第一半导体层，电性连接该第一电极；一第二半导体层，至少部分与该第一半导体层重叠；一发光层，位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间；以及一第二电极，电性连接该第二半导体层；一支撑墙，设置于该基板上；一第一底电极，设置于该基板上，且位于该支撑墙与该微型发光二极管之间；以及一第一顶电极，设置于该支撑墙上，且与该第一底电极分离；以及一液晶层，设置于该第一底电极上，且位于该支撑墙与该微型发光二极管之间。2.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该第一底电极与该第一电极电性连接。3.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该支撑墙具有面向该微型发光二极管的一第一侧，与位于该第一侧对面的一第二侧，该第一侧与该基板之间的夹角为α1，该第二侧与该基板之间的夹角为α2，α1大于α2。4.如权利要求1所述的像素阵列基板，还包括：一第一信号线，与该第一顶电极电性连接。5.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该液晶层的材料为蓝相液晶。6.如权利要求2所述的像素阵列基板，还包括：一第二底电极，设置于该基板上，且与该第二电极电性连接。7.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该支撑墙与该第一顶电极环绕于该微型发光二极管的四侧。8.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该支撑墙的高度为该微型发光二极管的高度的两倍以上。9.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该支撑墙的高度为H，该第一顶电极与该基板之间的距离大于2/3H。10.如权利要求1所述的像素阵列基板，其中该发光层的宽度为W，该发光层于该基板的垂直投影形成一图形，该图形的一侧边与该第一顶电极于该基板的垂直投影之间具有一最短距离，该最短距离大于W且小于5倍的W。11.如权利要求1所述的像素阵列基板，还包括：一第二顶电极，设置于该支撑墙上，且与该第一顶电极互相分离；以及一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞方正，陈振彰，曹梓毅，刘品妙，蔡正晔，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71