一种晶体生长系统技术方案

本发明专利技术涉及晶体生长系统。该晶体生长系统包括晶体生长加料装置和晶体生长坩埚，该晶体生长加料装置包括加料坩埚、温控加热系统和加料导管，其中，温控加热系统用于加热并控制加料坩埚的温度，加料坩埚位于晶体生长坩埚上方，加料导管用于将加料坩埚中的熔化的晶体生长原料输送到晶体生长坩埚中。本发明专利技术的晶体生长系统能够克服了现有技术中的晶体生长系统的诸多缺陷。例如，本发明专利技术能够方便地控制加料坩埚内及导管内原料熔液流入晶体生长坩埚的流量；能够使得晶体生长坩埚中晶体生长过程稳定；本发明专利技术还能解决加料时的加料溶液凝结而导致的加料不畅问题。同时，本发明专利技术的晶体生长系统能够结构简单，操作方便，能够大大降低了设备成本和生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长系统
本专利技术总体涉及晶体生长技术，具体地，本专利技术涉及一种晶体生长系统。
技术介绍
在晶体生长过程中，为增加产量，需要将该晶体生长所需的原料输送到晶体生长坩埚。一种生产晶体的方法是布里奇下降法，即坩埚下降法，该方法通过使晶体生长坩埚在加热炉中缓慢下降来获取晶体。为了克服布里奇下降法在晶体生长过程中产生化学组分偏析的现象，现有技术中提供了诸多在晶体生长过程中连续加料的方法。所有现有的连续加料方法存在下面两个问题：一是在用固体粉料加入的方法中，由于固体粉料进入生长坩埚后，在熔解过程中产生熔液的温度变化，使晶体生长温度不稳定而导致杂晶的形成。二是在加入原料熔液的方法中，在高温下通过用制冷剂控制加料管温度来控制熔液的流速和流量。但是这种方法结构复杂，制冷剂易挥发，在高温时产生压强，制冷剂管道易堵塞或者泄漏等一系列问题，实施难度很大。因此，希望提供一种改进的晶体生长系统，以消除或缓和现有技术中的上述缺陷。
技术实现思路
为了克服现有技术中的问题，本专利技术提供了一种晶体生长系统，其包括晶体生长加料装置和晶体生长坩埚，该晶体生长加料装置包括加料坩埚、温控加热系统和加料导管，其中，温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体生长系统，包括晶体生长加料装置和晶体生长坩埚，其特征在于所述晶体生长加料装置包括加料坩埚、温控加热系统和加料导管，其中，所述温控加热系统用于加热并控制加料坩埚的温度，所述加料坩埚位于所述晶体生长坩埚上方，所述加料导管用于将所述加料坩埚中的熔化的晶体生长原料输送到所述晶体生长坩埚中。

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长系统，包括晶体生长加料装置和晶体生长坩埚，其特征在于所述晶体生长加料装置包括加料坩埚、温控加热系统和加料导管，其中，所述温控加热系统用于加热并控制加料坩埚的温度，所述加料坩埚位于所述晶体生长坩埚上方，所述加料导管用于将所述加料坩埚中的熔化的晶体生长原料输送到所述晶体生长坩埚中。2.根据权利要求1所述的晶体生长系统，其特征在于，其特征在于所述加料坩埚的直径与所述晶体生长坩埚相同或者比所述晶体生长坩埚略小。3.根据权利要求1或2所述的晶体生长系统，其特征在于，所述加料导管的上端接口偏心安装在所述加料坩埚的底部。4.根据权利要求3所述的晶体生长系统，其特征在于，所述加料导管的直径为3-5mm，并且其上端接口的中心与所述加料坩埚的侧壁的内表面相距10-20mm。5.根据权利要求1所述的晶体生长系统，其特征在于，所述温控加热系统将所述加料坩埚的温度保持为与所述晶体生长坩埚的温度基本相同，并且所述温控加热系统通过控制所述加料坩埚的温度来控制所述晶体生长原料流入所述晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋子博，
申请(专利权)人：上海怡英新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31