The invention provides a monitoring method for the technological capability of rapid thermal annealing. By setting a plurality of test zones in the area between the edge of the wafer and the center of the wafer, the wafer surface is amorphous, and then the active zone is subjected to a normal source-drain ion implantation and rapid thermal annealing process, and the rapid thermal annealing process is described. Process repair activates impurities injected into the active region and repairs lattice defects on the wafer surface due to amorphization. The actual corresponding relationship between the crystallization parameters and the position of the wafer surface is obtained by obtaining the crystallization parameters of the test region, and the actual corresponding relationship is carried out with an ideal corresponding relationship. By comparison, it is possible to judge whether the rapid thermal annealing process capability meets the control requirements, realize on-line monitoring of the rapid thermal annealing process, and avoid differences in wafers between batches leading to differences in device performance.
【技术实现步骤摘要】
快速热退火工艺能力的监控方法
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种快速热退火工艺能力的监控方法。
技术介绍
快速热退火工艺(RapidThermalAnnealing,RTA)在现代半导体产业有重要的应用,其可以极快的升温并在目标温度短暂持续,以对硅片进行热退火,快速的升温过程和短暂的持续时间能够在晶格缺陷的修复、激活杂质和最小化杂质扩散三者之间取得优化。CMOS器件是集成电路的主要构成单元,根据其制造流程及工艺,RTA工艺对其电性参数在晶圆内的分布具有强相关性,所以为了提高晶圆内不同区域芯片CMOS器件的均一性,提高产品工艺窗口,可以提高RTA工艺在晶圆不同区域热量分布的均匀性,从而改善芯片良率。在RTA工艺中,对晶圆每个区域的温度设定是定值,而进行RTA工艺时,由于存在工艺散布,会引起以下两种效应:前道工艺影响导致晶圆对RTA不同区域温度的响应不同,导致在晶圆内不同区域CMO器件参数存在分布,从而导致晶圆电性参数的散布较大,减小了工艺窗口;由于晶圆制造流程的特点,晶圆边缘的工艺窗口较窄,而当RTA工艺在晶圆边缘区域设定统一温度时,无法有效补偿批次和批次间存在的差异以及RTA工艺本身造成的波动。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种快速热退火工艺能力的监控方法,实现对快速热退火工艺能力的在线监控。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种快速热退火工艺能力的监控方法,所述快速热退火工艺能力的监控方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括有源区及多个测试区,多个所述测试区分布于所述晶圆边缘至所述晶圆圆心之间的区域,将所述晶圆表面非晶化;对所述有源区进行源漏 ...
【技术保护点】
1.一种快速热退火工艺能力的监控方法,其特征在于,所述快速热退火工艺能力的监控方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括有源区及多个测试区,多个所述测试区分布于所述晶圆边缘至所述晶圆圆心之间的区域;将所述晶圆表面非晶化;对所述有源区进行源漏离子注入;对所述晶圆进行快速热退火工艺;获取多个所述测试区的晶化参数以得到所述晶圆表面的晶化参数与位置的实际对应关系;通过比较所述实际对应关系与一理想对应关系,得到所述快速热退火工艺能力是否满足控制要求。
【技术特征摘要】
1.一种快速热退火工艺能力的监控方法,其特征在于,所述快速热退火工艺能力的监控方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括有源区及多个测试区,多个所述测试区分布于所述晶圆边缘至所述晶圆圆心之间的区域;将所述晶圆表面非晶化;对所述有源区进行源漏离子注入;对所述晶圆进行快速热退火工艺;获取多个所述测试区的晶化参数以得到所述晶圆表面的晶化参数与位置的实际对应关系;通过比较所述实际对应关系与一理想对应关系,得到所述快速热退火工艺能力是否满足控制要求。2.如权利要求1所述的快速热退火工艺能力的监控方法,其特征在于,获取所述理想对应关系的方法包括:提供多个测试晶圆,并将所述测试晶圆的表面非晶化;将多个所述测试晶圆进行标准的快速热退火工艺;获取多个所述测试晶圆表面多个位置处的晶化参数以得到所述测试晶圆表面的晶化参数与位置的理想对应关系。3.如权利要求2所述的快速热退火工艺能力的监控方法,其特征在于,所述实际对应关系与所述理想对应关系的偏差在一设定范围内,所述快速热退火工艺能力满足控制要求;所述实际对应关系与所述理想对应关系的偏差超出所述设定范围,所述快速热退火工艺能力不满足控制要求。4.如权利要求3所述的快速热退火工艺能力的监控方法,其特征在于,通过比较所述实际对应关系与所述理想对应关系,调整所述快速热退火时所述晶圆不同位置处的温度,使所述快速热退火工艺...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔冶青,黄然,邓建宁,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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