一种减少图像传感器污点的方法技术

本发明专利技术涉及一种减少图像传感器污点的方法，包括以下步骤：提供衬底，包括像素区和逻辑区；在像素区CMOS的源漏极进行第一次离子注入；在像素区进行第二次离子注入，所述第二次离子注入包括注入碳氢化合物。图像传感器芯片像素区的白色像素点处存在金属杂质较多、电流泄漏量较高的情况，金属杂质较多、电流泄露及白色像素污点情况的产生常与金属离子污染、衬底原材料、晶格缺陷和注入条件等因素有关。在本发明专利技术中，通过采用在衬底浅层注入高浓度碳氢化合物，使碳氢化合物、硅离子、氧离子和金属杂质等充分反应生成金属氧化物，达到捕获金属杂质的效果，以减少电流泄露量，并且明显降低像素区的白色像素污点，从而提高产品的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种减少图像传感器污点的方法
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种减少图像传感器污点的方法。
技术介绍
半导体图像传感器制造工艺中，图像传感器的芯片分为像素区和逻辑区，像素区中存储的电子由光电二极管中的光子转化形成，而像素区中白色像素污点是影响电子形成的重要因素，也是图像传感器的成像质量的关键。在芯片生产制作过程中，通常用白色像素点的数目来衡量产品性能，工艺中产生的金属杂质会产生白色像素污点，在完全黑暗的条件下，输出的像素数字编号值会大于说明书中平均像素数字编号值，使图像失真。因此大量的白色像素污点会影响图像传感器的成像质量。因此，急需提供一种减少图像传感器污点的方法，以解决现有技术中白色像素污点影响图像传感器的成像质量，使图像失真的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种减少图像传感器污点的方法，以解决现有技术中白色像素污点影响图像传感器的成像质量，使图像失真的问题。为了解决现有技术中存在的问题，本专利技术提供了一种减少图像传感器污点的方法，包括以下步骤：S1：提供衬底，包括像素区和逻辑区；S2：在像素区CMOS的源漏极进行第一次离子注入；S3：在像素区进行第二次离子注入，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减少图像传感器污点的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供衬底，包括像素区和逻辑区；S2：在像素区CMOS的源漏极进行第一次离子注入；S3：在像素区进行第二次离子注入，所述第二次离子注入包括注入碳氢化合物。

【技术特征摘要】
1.一种减少图像传感器污点的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供衬底，包括像素区和逻辑区；S2：在像素区CMOS的源漏极进行第一次离子注入；S3：在像素区进行第二次离子注入，所述第二次离子注入包括注入碳氢化合物。2.如权利要求1所述的减少图像传感器污点的方法，其特征在于，所述碳氢化合物捕获金属杂质。3.如权利要求2所述的减少图像传感器污点的方法，其特征在于，所述金属杂质包括铁、镍和钨。4.如权利要求1所述的减少图像传感器污点的方法，其特征在于，注入所述碳氢化合物至距离衬底表面1.05～1.55mm处。5.如权利要求1所述的减少图像传感器污点的方法，其特征在于，所述碳氢化合物的浓度为4.5*1015～5.5*1...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦爽，王骞，秋沉沉，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31