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本发明涉及一种减少图像传感器污点的方法，包括以下步骤：提供衬底，包括像素区和逻辑区；在像素区CMOS的源漏极进行第一次离子注入；在像素区进行第二次离子注入，所述第二次离子注入包括注入碳氢化合物。图像传感器芯片像素区的白色像素点处存在金属杂质...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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