一种微带滤波器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种微带滤波器的制造方法，包括以下步骤：S1、准备一块P型硅片，在P型硅片上进行硼扩散，制造P+区；S2、根据滤波器指标设计电路图形；S3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面；S4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜；S5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。本发明专利技术操作方便易掌握，能够提高薄膜微带滤波器的成品合格率，通过薄膜采用聚四氟乙烯，薄膜不会与滤波器的电路图像发生反应避免影响滤波器的微波特性。

A Manufacturing Method of Microstrip Filter

The invention discloses a manufacturing method of microstrip filters, which includes the following steps: S1, preparing a P-type silicon wafer, boron diffusion on P-type silicon wafer, making P+region; S2, designing circuit graphics according to filter index; S3, printing polycrystalline silicon on silicon wafer by magnetron sputtering or photolithography according to circuit graphics. Surface; S4. Drop liquid polytetrafluoroethylene (PTFE) and acetone mixture onto the surface of the circuit pattern printed on the silicon wafer to form a film; S5. Thicken the circuit pattern by plating the silicon wafer. The invention is easy to operate and master, and can improve the qualified rate of the finished product of the thin film microstrip filter. By using PTFE thin film, the thin film will not react with the circuit image of the filter to avoid affecting the microwave characteristics of the filter.

【技术实现步骤摘要】
一种微带滤波器的制造方法
本专利技术涉及一种微带滤波器，具体涉及一种微带滤波器的制造方法。
技术介绍
微带滤波器是微波系统中应用较为广泛、非常重要的元件之一，它是微波放大器、振荡器、变频器等电路的重要组成部分。随着现代微波通讯行业的快速发展，小型化、轻量化、高可靠性、高频带的微波器件越来越受重视，薄膜工艺技术因而得到了飞速发展。现有技术中，使用传统薄膜生产工艺来制作薄膜微带滤波器合格率低，薄膜容易影响滤波器的微波特性。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种微带滤波器的制造方法，解决上述的问题。本专利技术通过下述技术方案实现：一种微带滤波器的制造方法，包括以下步骤：S1、准备一块P型硅片，在P型硅片上进行硼扩散，制造P+区；S2、根据滤波器指标设计电路图形；S3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面；S4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜；S5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。进一步的，一种微带滤波器的制造方法，所述步骤S1和S2之间还包括预处理，所述预处理包括：对P型硅片进行超声波处理；在P型硅片的下表面覆盖一层保护膜。进一步的，一种微带滤波器的制造方法，所述步骤S4还包括：烘干处理，所述烘干处理的温度为50°，时间为30min。进一步的，一种微带滤波器的制造方法，所述步骤S5中增厚均匀，增厚的厚度为2微米。本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本专利技术操作方便易掌握，能够提高薄膜微带滤波器的成品合格率，通过薄膜采用聚四氟乙烯，薄膜不会与滤波器的电路图像发生反应避免影响滤波器的微波特性。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。实施例1本实施例一种微带滤波器的制造方法，包括以下步骤：S1、准备一块P型硅片，在P型硅片上进行硼扩散，制造P+区；S2、根据滤波器指标设计电路图形；S3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面；S4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜；S5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。所述步骤S5中增厚均匀，增厚的厚度为2微米。本专利技术操作方便易掌握，能够提高薄膜微带滤波器的成品合格率，通过薄膜采用聚四氟乙烯，薄膜不会与滤波器的电路图像发生反应避免影响滤波器的微波特性。实施例2在实施例1的基础之上，所述步骤S1和S2之间还包括预处理，所述预处理包括：对P型硅片进行超声波处理；在P型硅片的下表面覆盖一层保护膜。实施例3在实施例1的基础之上，所述步骤S4还包括：烘干处理，所述烘干处理的温度为50°，时间为30min。以上所述的具体实施方式，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本专利技术的具体实施方式而已，并不用于限定本专利技术的保护范围，凡在本专利技术的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微带滤波器的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、准备一块P型硅片，在P型硅片上进行硼扩散，制造P+区；S2、根据滤波器指标设计电路图形；S3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面；S4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜；S5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。

【技术特征摘要】
1.一种微带滤波器的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、准备一块P型硅片，在P型硅片上进行硼扩散，制造P+区；S2、根据滤波器指标设计电路图形；S3、根据电路图形将多晶硅通过磁控溅射或光刻的方式印制在硅片的上表面；S4、将液态聚四氟乙烯和丙酮的混合溶液滴到印制在硅片上的电路图形的表面形成薄膜；S5、对硅片进行电镀处理将电路图形增厚。2.根据权利要求1所述的一种微带滤波器...

【专利技术属性】
技术研发人员：江文彬，王东，宋旭，
申请(专利权)人：成都旭思特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51