一种高通滤波器电路及集成电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高通滤波器电路及集成电路，包括：电压输入端，电压输出端，第一共模电平输入端，第二共模电平输入端，电阻，M个电容，M个第一开关和M个第二开关，其中，M个第一开关中的第i个第一开关设置在M个电容中的第i个电容的第一端与电压输入端之间，M个第二开关中的第i个第二开关设置在第一端与第二共模电平输入端之间，电压输出端与第i个电容的第二端相连，电阻设置在电压输出端与第一共模电平输入端之间，其中，第i个第一开关和第i个第二开关中只能有一个开关处于导通状态，以解决现有技术中的高通滤波器电路，存在的开关寄生电容与电阻形成低通滤波电路，降低高通滤波器电路的滤波性能的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种高通滤波器电路及集成电路。
技术介绍
在集成电路系统中，比如在以太网接口芯片中，经常会用到带增益调节功能的高通滤波器电路，用以处理芯片接收到的模拟信号；当前，带增益调节功能的高通滤波器电路的典型实现方式如图1所示，由电容C′、电阻R′1～R′N和开关S′1～S′N组成。其中，电容C′的一端与信号输入端V′in连接，另一端与电阻R′1连接；电阻R′1～R′N串联连接于共模电平输入端V′cm和电容C′之间，电阻R′1～R′N通过开关S′1～S′N与信号输出端V′out连接；开关S′1～S′N中只能有一个开关闭合导通；通过控制开关S′1～S′N的闭合来调节高通滤波器电路的增益。假设开关S′1～S′N中，闭合导通的开关为开关S′i，i为大于等于1小于等于N的整数，则图1所示高通滤波器电路的增益转折频率其中，R′t为电阻R′1～R′N的电阻值的总和。由上述Av′和fc的计算公式可见，图1所示的高通滤波器电路，能够在维持转折频率不变的前提下，通过控制开关S′1～S′N的闭合来实现增益的调节。图1所示的电路结构，虽然电路结构简单，但是存在如下明显缺点：开关一般由金属氧化物场效应管或其它半导体器件实现，无论哪种方式实现，都会使得开关与电源或地之间存在寄生电容，这就导致图1所示的电路的实际等效电路会如图2所示，即开关S′1～S′N与电阻相连的节点，存在寄生电容CP′1～CP′N；这些寄生电容与电阻形成了低通滤波器，使得高通滤波器在通带内的频率响应受到明显影响，减弱了电路性能。综上所述，当前高通滤波器电路，开关的寄生电容与电阻形成了低通滤波电路，降低了高通滤波器电路的滤波性能。
技术实现思路
本专利技术提供一种高通滤波器电路及集成电路，用以解决现有技术中的高通滤波器电路，存在的开关的寄生电容与电阻形成了低通滤波电路，降低了高通滤波器电路的滤波性能的技术问题。第一方面，本专利技术提供了一种高通滤波器电路，所述电路包括：电压输入端，电压输出端，第一共模电平输入端，第二共模电平输入端，电阻，M个电容，M个第一开关和M个第二开关，其中，M为大于等于2的整数；其中，所述M个第一开关中的第i个第一开关设置在所述M个电容中的第i个电容的第一端与所述电压输入端之间，所述M个第二开关中的第i个第二开关设置在所述第一端与所述第二共模电平输入端之间，所述电压输出端与所述第i个电容的第二端相连，所述电阻设置在所述电压输出端与所述第一共模电平输入端之间，其中，所述第i个第一开关和所述第i个第二开关中只能有一个开关处于导通状态，i为大于等于1小于等于M的任意整数。结合第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述M个第一开关和所述M个第二开关均为金属氧化物场效应管开关或三极管开关。结合第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，当所述M个第一开关和所述M个第二开关均为所述金属氧化物场效应管开关时，所述电路还包括：控制模块，与所述M个第一开关中每个第一开关的栅极连接，以及和所述M个第二开关中每个第二开关的栅极连接，用于输出第一控制信号至所述第i个第一开关，以及用于输出第二控制信号至所述第i个第二开关；其中，所述第一控制信号为与所述第二控制信号的相位相反的信号。第二方面，本专利技术提供了一种集成电路，包括：信号接收电路、工作电路和第一方面所述的高通滤波器电路；所述信号接收电路与所述高通滤波器电路中的电压输入端连接；所述工作电路与所述高通滤波器电路中的电压输出端连接；所述高通滤波器电路用于过滤从所述信号接收电路输入的第一信号，并将过滤后的频率大于一预设频率的第二信号输出至所述工作电路。本专利技术实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：本专利技术实施例中，设置M个第一开关和M个第二开关，来调节与所述电压输入端连接的电容的电容值，进而调节高通滤波器电路的增益，从而通过M个电容将M个第一开关和M个第二开关与电阻隔离开，避免开关的寄生电容与电阻形成的寄生低通滤波器影响高通滤波器在通带内的频率响应，从而减小开关寄生电容对高通滤波器电路的滤波性能的影响。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中高通滤波器电路的电路图；图2为现有技术中高通滤波器电路的开关寄生电容示意图；图3为本专利技术实施例中高通滤波器电路的电路图；图4为本专利技术实施例中高通滤波器电路的开关寄生电容示意图；图5为本专利技术实施例中高通滤波器电路工作时的等效电路图；图6为本专利技术实施例中计算高通滤波器电路交流参数时的等效电路图；图7为本专利技术实施例中控制开关导通和闭合的示意图一；图8为本专利技术实施例中控制开关导通和闭合的示意图二；图9为本专利技术实施例中集成电路的示意图。具体实施方式本申请实施例通过提供一种高通滤波器电路及集成电路，解决了现有技术的高通滤波器电路，存在的开关的寄生电容与电阻形成了低通滤波电路，降低了高通滤波器电路的滤波性能的技术问题，实现了提升高通滤波器电路的滤波性能的技术效果。本专利技术实施例中的技术方案为解决上述的技术问题，总体思路如下：一种高通滤波器电路，所述电路包括：电压输入端，电压输出端，第一共模电平输入端，第二共模电平输入端，电阻，M个电容，M个第一开关和M个第二开关，其中，M为大于等于2的整数；其中，所述M个第一开关中的第i个第一开关设置在所述M个电容中的第i个电容的第一端与所述电压输入端之间，所述M个第二开关中的第i个第二开关设置在所述第一端与所述第二共模电平输入端之间，所述电压输出端与所述第i个电容的第二端相连，所述电阻设置在所述电压输出端与所述第一共模电平输入端之间，其中，所述第i个第一开关和所述第i个第二开关中只能有一个开关处于导通状态，i为大于等于1小于等于M的任意整数。上述高通滤波器电路通过设置M个第一开关和M个第二开关，来调节与所述电压输入端连接的电容的电容值，进而调节高通滤波器电路的增益，从而通过M个电容将M个第一开关和M个第二开关与电阻隔离开，避免开关的寄生电容与电阻形成的寄生低通滤波器影响高通滤波器在通带内的频率响应，从而减小开关寄生电容对高通滤波器电路的滤波性能的影响，实现提升高通滤波器<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高通滤波器电路，其特征在于，所述电路包括：电压输入端，电压输出端，第一共模电平输入端，第二共模电平输入端，电阻，M个电容，M个第一开关和M个第二开关，其中，M为大于等于2的整数；其中，所述M个第一开关中的第i个第一开关设置在所述M个电容中的第i个电容的第一端与所述电压输入端之间，所述M个第二开关中的第i个第二开关设置在所述第一端与所述第二共模电平输入端之间，所述电压输出端与所述第i个电容的第二端相连，所述电阻设置在所述电压输出端与所述第一共模电平输入端之间，其中，所述第i个第一开关和所述第i个第二开关中只能有一个开关处于导通状态，i为大于等于1小于等于M的任意整数。

【技术特征摘要】
1.一种高通滤波器电路，其特征在于，所述电路包括：
电压输入端，电压输出端，第一共模电平输入端，第二共模电平输入端，
电阻，M个电容，M个第一开关和M个第二开关，其中，M为大于等于2的整
数；
其中，所述M个第一开关中的第i个第一开关设置在所述M个电容中的第
i个电容的第一端与所述电压输入端之间，所述M个第二开关中的第i个第二开
关设置在所述第一端与所述第二共模电平输入端之间，所述电压输出端与所述
第i个电容的第二端相连，所述电阻设置在所述电压输出端与所述第一共模电平
输入端之间，其中，所述第i个第一开关和所述第i个第二开关中只能有一个开
关处于导通状态，i为大于等于1小于等于M的任意整数。
2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述M个第一开关和所述M
个第二开关均为金属氧化物场效应管开关或均为三极管开关。
3.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶云彬，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44