一种薄膜工艺集成方法技术

本发明专利技术提出了一种薄膜工艺集成方法，包括以下步骤：在介质基片上、下表面均沉积由粘附层、导体层组成的金属种子层薄膜；在介质基片上表面采用阳版正胶工艺光刻导体图形，然后刻蚀导体层，再剥离光刻胶；在介质基片上表面采用阴版正胶工艺光刻导体图形，掩膜电镀导体层，在介质基片下表面电镀导体层；将介质基片上表面的图形化光刻胶区剥离干净，然后完成粘附层薄膜的刻蚀；划切电路外形。本发明专利技术有效解决了光刻胶掩膜图形电镀工艺后道工序湿法刻蚀暴露出的金属种子层薄膜导体层时，因其和电镀加厚的导体层图形之间形成较大的台阶带来的导体图形精度变差的问题。

A Film Process Integration Method

The invention provides a film process integration method, which includes the following steps: depositing a metal seed layer film consisting of an adhesive layer and a conductor layer on both the upper and lower surfaces of the dielectric substrate; photolithography of conductor patterns on the surface of the dielectric substrate using a positive photoresist process, then etching the conductor layer, and stripping the photoresist on the dielectric substrate; and The upper surface is lithographic conductor pattern with negative positive glue process, the mask is electroplated conductor layer, and the conductor layer is electroplated on the lower surface of the dielectric substrate; the graphical photoresist area on the upper surface of the dielectric substrate is peeled off, and then the etching of the adhesion layer film is completed; and the shape of the circuit is cut. The invention effectively solves the problem of worsening the accuracy of the conductor pattern caused by the large step formed between the exposed metal seed layer and the thick conductor layer pattern in the wet etching process of the photoresist mask pattern electroplating process.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜工艺集成方法
本专利技术属于微波毫米波薄膜混合集成电路
，特别涉及一种薄膜工艺集成方法。
技术介绍
微带带通滤波器是现代电子电路系统中的关键部件之一。在实际应用电路中，微带带通滤波器容易与其它无源微波电路和有源微波电路器件集成，实现微波部件和系统的集成化。所以，这种滤波器在工程设计中被广泛应用。微带带通滤波器通常采用半导体集成电路工艺加工制作，因此具有很好的重复生产性和一致性。微带带通滤波器结构类型繁多，常用的微带线带通滤波器的电路结构主要有电容间隙耦合滤波器、平行耦合微带线带通滤波器、发夹线带通滤波器、1/4波长短路短截线滤波器、半波长开路短截线滤波器和交指型带通滤波器等形式。微带带通滤波器的集成工艺难点是耦合单元图形线宽与线间距的高精度制备。通常情况下，频率越高，线间距越小，滤波器性能指标对导带线宽与线间距的精度要求越高。微带带通滤波器的薄膜集成工艺通常采用图形电镀法制备。所谓图形电镀法，又叫带胶电镀法或光刻胶掩膜电镀法，具备导体图形侧生长小、线条边缘陡直、图形分辨率高等优点，广泛应用于微带电路制作。现行的微带电路图形电镀方法，通常是先将正面电路用图形电镀方法，即在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜工艺集成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(101)：在介质基片上、下表面均沉积由粘附层、导体层组成的金属种子层薄膜；步骤(102)：在介质基片上表面采用阳版正胶工艺光刻导体图形，然后刻蚀导体层，再剥离光刻胶；步骤(103)：在介质基片上表面采用阴版正胶工艺光刻导体图形，掩膜电镀导体层，在介质基片下表面电镀导体层；步骤(104)：将介质基片上表面的图形化光刻胶区剥离干净，然后完成粘附层薄膜的刻蚀；步骤(105)：划切电路外形。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜工艺集成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(101)：在介质基片上、下表面均沉积由粘附层、导体层组成的金属种子层薄膜；步骤(102)：在介质基片上表面采用阳版正胶工艺光刻导体图形，然后刻蚀导体层，再剥离光刻胶；步骤(103)：在介质基片上表面采用阴版正胶工艺光刻导体图形，掩膜电镀导体层，在介质基片下表面电镀导体层；步骤(104)：将介质基片上表面的图形化光刻胶区剥离干净，然后完成粘附层薄膜的刻蚀；步骤(105)：划切电路外形。2.如权利要求1所述的一种薄膜工艺集成方法，其特征在于，所述阳版以掩膜版大部分区域为透光区、小部分区域为遮光区且遮光区设置成导体线宽图形为满足要求，阴版以掩膜版大部分区域为遮光区、小部分区域为透光区且透光区设置成导体线宽图形为满足要求。3.如权利要求1所述的一种薄膜工艺集成方法，其特征在于，所述介质基片为99.6％-100％的氧化铝基片或纯度为98％的氮化铝基片或蓝宝石基片或熔融石英基片。4.如权利要求1所述的一种薄膜工艺集成方法，其特征在于，所述步骤(101)中，将介质基片清洗干净后，在介质基片上表面依次沉积粘附层薄膜和导体层薄膜，在介质基片下表面依次沉积粘附层薄膜和导体层薄膜。5.如权利要求4所述的一种薄膜工艺集成方法，其特征在于，所述步骤(101)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹乾涛，董航荣，赵海轮，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十一研究所，
类型：发明
国别省市：山东,37