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本发明提出了一种薄膜工艺集成方法，包括以下步骤：在介质基片上、下表面均沉积由粘附层、导体层组成的金属种子层薄膜；在介质基片上表面采用阳版正胶工艺光刻导体图形，然后刻蚀导体层，再剥离光刻胶；在介质基片上表面采用阴版正胶工艺光刻导体图形，掩膜电...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十一研究所授权不得商用。

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