耦合微带结构及滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供一种耦合微带结构及滤波器，所述耦合微带结构包括：介质基板(1)、介质基板(1)下表面的接地金属层(2)和介质基板(1)上表面的刻蚀电路层(3)，所述刻蚀电路层(3)包括输入耦合线(4)和输出耦合线(5)，还包括一个开路支节(6)，所述开路支节(6)位于输入耦合线(4)的末端。本实用新型专利技术在提高了耦合强度的情形下，同时为一种单面结构，结构简单，易于加工封装，可用于封闭式谐振器中。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种耦合微带结构及滤波器。
技术介绍
在微波宽带滤波器中，强耦合的耦合线起到了非常重要的作用。但强耦合线很难在PCB板上实现，因为PCB板加工工艺能允许的最小线宽和线间距都为0.15mm。传统平行耦合微带线结构如图1所示，包括相互平行的输入微带线及输出微带线，为了实现强耦合，需要减小微带线宽度W1、W2和间距S，但传统PCB工艺能实现的最小线宽和线间距为0.15mm。为了加强耦合线间的耦合，科学家们提出了很多方法和新型结构。具有缺陷地结构(DGS)的平行耦合线被LeiZhu等人提出(Multilayeredcoupled-microstriplinestechniquewithaperturecompensationforinnovativeplanarfilterdesign)，从而加强了耦合线间的耦合。基于这种DGS技术，Cheng-HsienLiang等人将两条信号线布局到缺陷地中(EnhancedCouplingStructuresforTightCouplersandWidebandFilters)，进一步提高了耦合强度。此外，(Du本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耦合微带结构，其特征在于，包括：介质基板(1)、介质基板(1)下表面的接地金属层(2)和介质基板(1)上表面的刻蚀电路层(3)，所述刻蚀电路层(3)包括输入耦合线(4)和输出耦合线(5)，还包括一个开路支节(6)，所述开路支节(6)位于输入耦合线(4)的末端。

【技术特征摘要】
1.一种耦合微带结构，其特征在于，包括：介质基板(1)、介质基板(1)下表面的接地金属层(2)和介质基板(1)上表面的刻蚀电路层(3)，所述刻蚀电路层(3)包括输入耦合线(4)和输出耦合线(5)，还包括一个开路支节(6)，所述开路支节(6)位于输入耦合线(4)的末端。2.根据权利要求1所述的耦合微...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈仙红，张立军，冷永清，徐灿，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：新型
国别省市：北京;11