一种等离子体刻蚀的方法技术

本发明专利技术涉及集成电路制造技术领域，公开了一种等离子体刻蚀的方法，所述等离子体刻蚀的方法包括以下步骤：S1：前批次晶圆在等离子体刻蚀机台的反应腔室中进行等离子体刻蚀作业；S2：对反应腔室进行清洁，同时从静电吸附盘的氦气管道向反应腔室通入氦气；以及S3：后批次晶圆在反应腔室中进行等离子体刻蚀作业。本发明专利技术通过对反应腔室进行清洁的同时，从静电吸附盘的氦气管道向反应腔室通入氦气，以减少清洁工艺过程中，聚合物从氦气管道口进入氦气管道中，有利于改善在整个清洁工艺中聚合物对氦气管道的污染，从而降低了由于氦气管道污染造成的后续批次晶圆的刻蚀不良，同时有利于提高机台的利用率，提高生产效率，降低机台的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀的方法
本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种等离子体刻蚀的方法。
技术介绍
静电吸附盘是一种集成射频(RadioFrequency，RF)传导、静电吸附，以及温度传感于一体的部件，其在刻蚀工艺过程中起着至关重要的作用。静电吸附盘的温度传感的实现方法是：在半导体刻蚀工艺过程中，先通过静电将晶圆吸附、固定在静电吸附盘(ElectrostaticChuck，ESC)的表面上，然后氦气从静电吸附盘内的氦气管路进入，并从静电吸附盘表面的多个氦气管道输出口流出，与晶圆的接触面进行换热，从而达到温度传感的作用。在生产过程中，每刻蚀一片或多片晶圆后，都要进行重复一次清洁工艺，如无晶圆自动清洁工艺(Wafer-lessAutoClean，WAC)，即在一片或多片晶圆刻蚀结束后，在反应腔室中无晶圆的情况下，机台进入清洁模式，以清除反应腔室的内壁上在刻蚀过程中所产生的聚合物。在整个清洁工艺过程中，因为没有了晶圆的覆盖，部分聚合物会通过氦气管道输出口进入氦气管道中，使得氦气管道受到污染，经过长时间的累积，将氦气管道输出口堵塞，或者大量聚合物停留在氦气管道中，影响氦气管道的正常输送本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：前批次晶圆在等离子体刻蚀机台的反应腔室中进行等离子体刻蚀作业；S2：对所述反应腔室进行清洁，同时从静电吸附盘的氦气管道向所述反应腔室通入氦气，所述静电吸附盘在所述反应腔室中，且位于所述反应腔室的底部；以及S3：后批次晶圆在所述反应腔室中进行等离子体刻蚀作业。

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：前批次晶圆在等离子体刻蚀机台的反应腔室中进行等离子体刻蚀作业；S2：对所述反应腔室进行清洁，同时从静电吸附盘的氦气管道向所述反应腔室通入氦气，所述静电吸附盘在所述反应腔室中，且位于所述反应腔室的底部；以及S3：后批次晶圆在所述反应腔室中进行等离子体刻蚀作业。2.如权利要求1所述的等离子体刻蚀的方法，其特征在于，在步骤S2中，所述氦气的压力大于所述反应腔室的压力。3.如权利要求2所述的等离子体刻蚀的方法，其特征在于，所述氦气的压力大于所述反应腔室的压力的5％～10％。4.如权利要求1所述的等离子体刻蚀的方法，其特征在于，所述静电吸附盘包括：用于承载晶圆的盘体和氦气管道，所述氦气管道位于所述盘体内。5.如权利要求4所述的等离子体刻蚀的方法，其特征在于，所述氦气管道具有多个氦...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庆，曾林华，任昱，吕煜坤，朱骏，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31