改善漏电流的刻蚀方法和浅沟槽隔离结构的形成方法技术

本发明专利技术提供了一种改善漏电流的刻蚀方法、浅沟槽隔离结构的形成方法以及半导体结构，改善漏电流的刻蚀方法包括：在硅衬底上沉积氮化硅层，在所述氮化硅层中形成暴露出所述硅衬底的开口；经所述开口进行第一刻蚀形成第一沟槽，所述第一刻蚀采用的刻蚀气体包括氯气；经所述第一沟槽进行第二刻蚀形成第二沟槽，第二刻蚀采用的刻蚀气体包括氩气。在本发明专利技术提供的改善漏电流的刻蚀方法、浅沟槽隔离结构的形成方法以及半导体结构中，先采用氯气在硅衬底上进行第一刻蚀形成第一沟槽，再采用氩气在第一沟槽的基础上进行第二刻蚀形成第二沟槽，通过氯气和氩气之间不同刻蚀速率，使得第二沟槽形成更加倾斜的斜坡结构，减少了漏电流的产生，提高了产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
改善漏电流的刻蚀方法和浅沟槽隔离结构的形成方法
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种改善漏电流的刻蚀方法、浅沟槽隔离结构的形成方法以及半导体结构。
技术介绍
在集成电路
中，随着技术的不断发展，对于半导体器件的要求也越来越高。其中，刻蚀工艺作为相当重要的步骤具有重要的作用，尤其对于刻蚀后产的漏电流可能严重影响产品的性能。因此，如何提供一种改善漏电流的刻蚀方法是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改善漏电流的刻蚀方法、浅沟槽隔离结构的形成方法以及半导体结构，以改善刻蚀后产的漏电流的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种改善漏电流的刻蚀方法，所述改善漏电流的刻蚀方法包括：提供一硅衬底，在所述硅衬底上沉积氮化硅层，在所述氮化硅层中形成暴露出所述硅衬底的开口；经所述开口进行第一刻蚀形成第一沟槽，所述第一刻蚀采用的刻蚀气体包括氯气；经所述第一沟槽进行第二刻蚀形成第二沟槽，所述第二刻蚀采用的刻蚀气体包括氩气。可选的，在所述改善漏电流的刻蚀方法中，所述氯气的流量为8sccm～16sccm，所述氩气的流量为8sccm～16sccm。可选的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善漏电流的刻蚀方法，其特征在于，所述改善漏电流的刻蚀方法包括：提供一硅衬底，在所述硅衬底上沉积氮化硅层，在所述氮化硅层中形成暴露出所述硅衬底的开口；经所述开口进行第一刻蚀形成第一沟槽，所述第一刻蚀采用的刻蚀气体包括氯气；经所述第一沟槽进行第二刻蚀形成第二沟槽，所述第二刻蚀采用的刻蚀气体包括氩气。

【技术特征摘要】
1.一种改善漏电流的刻蚀方法，其特征在于，所述改善漏电流的刻蚀方法包括：提供一硅衬底，在所述硅衬底上沉积氮化硅层，在所述氮化硅层中形成暴露出所述硅衬底的开口；经所述开口进行第一刻蚀形成第一沟槽，所述第一刻蚀采用的刻蚀气体包括氯气；经所述第一沟槽进行第二刻蚀形成第二沟槽，所述第二刻蚀采用的刻蚀气体包括氩气。2.根据权利要求1所述改善漏电流的刻蚀方法，其特征在于，所述氯气的流量为8sccm～16sccm，所述氩气的流量为8sccm～16sccm。3.根据权利要求1所述改善漏电流的刻蚀方法，其特征在于，所述第一沟槽的深度为4.根据权利要求1所述改善漏电流的刻蚀方法，其特征在干，所述第二沟槽的深度为5.根据权利要求1所述改善漏电流的刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀以及所述第二刻蚀都还采用了氦气和氧气。6.根据权利要求5所述改善漏电流的刻蚀方法，其特征在于，所述氦气的流量为15sccm～20sccm，所述氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：张连宝，邬镝，曹子贵，陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31