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本发明提供了一种改善漏电流的刻蚀方法、浅沟槽隔离结构的形成方法以及半导体结构，改善漏电流的刻蚀方法包括：在硅衬底上沉积氮化硅层，在所述氮化硅层中形成暴露出所述硅衬底的开口；经所述开口进行第一刻蚀形成第一沟槽，所述第一刻蚀采用的刻蚀气体包括氯...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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