树枝状银纳米线阵列的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种树枝状银纳米线阵列的制备方法，利用真空热蒸镀方法在玻璃基底表面沉积银离子KAg4I5导电薄膜，在基底一端沉积金属Ag膜作为阳极，在基底的另一端沉积金属Al膜作为阴极，电极间距为5cm，再在基底表面沉积银离子KAg4I5导电薄膜，使其覆盖整片基底，将阳极和阴极分别与恒压源表的正极和负极连接，通电后用于生长树枝状银纳米线阵列。该方法是在固态环境中进行，无需任何模板，仅借助外加直流电场就可以获得形貌为树枝状的银纳米线阵列。本发明专利技术制备的树枝状银纳米线阵列排列整齐，方向十分规则，易从基底上剥离，可作为器件直接应用于光电器件，或直接作为表面增强拉曼散射基底应用于生物检测等领域中。

【技术实现步骤摘要】
树枝状银纳米线阵列的制备方法
本专利技术属于金属纳米材料制备
，具体涉及一种树枝状银纳米线阵列的制备方法。
技术介绍
金属纳米结构因其表现出补充甚至高于对应体材料的特殊力学、光学、热学、电学、磁学、杀菌消毒和催化等性能而逐渐成为纳米结构研究的新热点。在众多金属材料中，银的活跃性低、化学性质稳定、导电性和导热性很好，同时一维银纳米线具有极高的电导率、热导率和表面增强拉曼散射效应等优异性能而得到广泛的研究。关于银纳米线阵列的制备方法目前有很多，包括模板法、提拉成膜法、机械手段。其中用模板法制备的银纳米线阵列的直径和长度分别由模板的孔径和厚度决定，机械手段制备的银纳米线阵列中的纳米线排列的平行度不高；且上述方法均在液体环境中进行，实验过程比较复杂，不易控制；阵列中纳米线的长度仅能达到微米量级。专利号为200510012005.7，名称为“厘米级长度的银单晶纳米线阵列的制备方法”的专利技术专利中对银单晶纳米线的制备方法进行了说明。该技术由于采用的RbAg4I5银离子导电薄膜在环境气氛作用下（温度、湿度、阳光等）比较容易分解，直接影响纳米线的质量和形貌；同时由于该技术采用的银膜电极间距设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.树枝状银纳米线阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）利用真空热蒸镀方法在玻璃基底表面沉积银离子KAg4I5导电薄膜；（2）在基底一端沉积金属Ag膜作为阳极，在基底的另一端沉积金属Al膜作为阴极，电极间距为5cm；（3）再在基底表面沉积银离子KAg4I5导电薄膜，使其覆盖整片基底；（4）将阳极和阴极分别与恒压源表的正极和负极连接，通电后用于生长树枝状银纳米线阵列，电流强度为3～5μA，时间为24‑44h。

【技术特征摘要】
1.树枝状银纳米线阵列的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）利用真空热蒸镀方法在玻璃基底表面沉积银离子KAg4I5导电薄膜；（2）在基底一端沉积金属Ag膜作为阳极，在基底的另一端沉积金属Al膜作为阴极，电极间距为5cm；（3）再在基底表面沉积银离子KAg4I5导电薄膜，使其覆盖整片基底；（4）将阳极和阴极分别与恒压源表的正极和负极连接，通电后用于生长树枝状银纳米线...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐大鹏，康维刚，杨巍，陈建，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61