一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法，采用磁控溅射法制备，薄膜材料由10组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜。本发明专利技术的复合相变薄膜材料利用了Si‑Ge2Sb2Te5界面效应与应力调控相变特性，使用的Si纳米薄膜具有相对较高的热胀系数，其在升温过程中对Ge2Sb2Te5提供一个张应力，并在Ge2Sb2Te5相变时阻碍其结构的收缩，从而能显著调控Ge2Sb2Te5的相变温度和相变速率，能够实现结晶温度、结晶速率、热稳定性、数据保持力的调控，同时可以调控晶态电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法本申请是申请号为201510923584.4，申请日为2015年12月14日，专利技术创造名称为“复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n及其制备方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及微电子
的相变薄膜材料，具体涉及一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法。
技术介绍
随着多媒体计算机网络在全球的延伸和普及，储存介质的开发与研究越来越受到人们的重视。Ge2Sb2Te5（简称GST）是目前大家公认的、研究最多、最为成熟的相变材料，极为符合商用存储器的需求。但是，Ge2Sb2Te5目前仍然有许多性质缺陷或不足亟待解决，其较低的结晶温度和较差的热稳定性使得GST的数据保持力不尽人意，存在很多有待改善和提高的地方（Loke,D.等，Science,2012,336（6088）:1566）。比如，Ge2Sb2Te5薄膜的晶化温度只有160℃左右，仅能在85℃的环境温度下将数据保持10年，其次，Ge2Sb2Te5薄膜以形核为主的晶化机制使得其相变速度较慢，无法满足未来高速、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法，其特征在于所述复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n由10组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜，Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面由Si薄膜完全包覆；相邻的两组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元共用一层Si薄膜；组成复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的 Si纳米薄膜的厚度为5nm，Ge2Sb2Te5纳米薄膜的厚度为5nm；制备方法包括以下步骤：①基片的准备，将基片洗净烘干待用；②磁控溅射的准备，将步骤①...

【技术特征摘要】
1.一种复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的制备方法，其特征在于所述复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n由10组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括两层Si纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜，Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面由Si薄膜完全包覆；相邻的两组Si/Ge2Sb2Te5/Si复合薄膜单元共用一层Si薄膜；组成复合相变薄膜材料（Si/Ge2Sb2Te5/Si）n的Si纳米薄膜的厚度为5nm，Ge2Sb2Te5纳米薄膜的厚度为5nm；制备方法包括以下步骤：①基片的准备，将基片洗净烘干待用；②磁控溅射的准备，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Si和Ge2Sb2Te5作为溅射靶材分别安装在磁控射频溅射靶...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄嘉慧，郑龙，史璐铭，曹慧，张文，
申请(专利权)人：江苏理工学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32