一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件制造技术

技术编号:19483896 阅读:38 留言:0更新日期:2018-11-17 11:02
本发明专利技术公开了一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件,包括外筒,所述外筒内设置有阴极、在外筒轴线方向上设置的同轴内导体,所述阴极与同轴内导体同轴,所述外筒和同轴内导体之间填充有同轴电介质,所述同轴电介质为周期性交错填充且介电系数不同的两种电介质,所述同轴电介质具有一环形结构形成同轴介质腔,所述同轴电介质通过同轴介质腔分为内、两部分外同轴电介质,内同轴电介质和外同轴电介质的两种电介质排列方式相同,阴极发射的环形强流电子束通过磁场引导,在同轴介质腔内进行传输。本发明专利技术采用上述结构的器件,使得微波在传输的介质中发生全反射,从而增强电子束的群聚,提高束波转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件
本专利技术属于高功率微波器件
,具体涉及一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件。
技术介绍
高功率微波(HPM)一般是指峰值功率在100MW以上、工作频率为1~300GHz范围内的电磁波。高功率微波技术和微波器件的研究与发展已有30多年的历史,近几年来,随着脉冲功率技术和等离子体物理的不断发展,高功率微波技术发展迅速,尤其是在高功率微波源的研制方面取得了极大的进展。到目前为止,其功率水平相比普通微波源已提高了几个量级,在多个科学领域得到广泛的应用,从而也使高功率微波成为一门新技术,它借助于现代强相对论电子束技术的巨大功率和能量储备能力正向着更短波长和超高功率的方向发展。到目前为止,高功率微波的发展已经走过了单一功率追求的单纯性新概念探索的阶段,研究重点已经转移到与高功率微波实际应用有关的更为细致的技术上。其中,提高高功率微波源系统产生效率和单脉冲能量、系统小型化、集成化设计以及发展智能型高功率微波装置是目前高功率微波源技术的主要研究内容。高功率微波器件的进一步实用化是小型化。沿介质表面运动的带电粒子,当速度超过该介质中传播的光速时,将产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件,包括外筒,所述外筒内设置有阴极、在外筒轴线方向上设置的同轴内导体,所述阴极与同轴内导体同轴,其特征在于所述外筒和同轴内导体之间填充有同轴电介质,所述同轴电介质为周期性交错填充且介电系数不同的两种电介质,所述同轴电介质具有一环形结构的同轴介质腔,所述同轴电介质通过同轴介质腔分为内、两部分外同轴电介质,内同轴电介质和外同轴电介质的两种电介质排列方式相同,阴极发射的环形强流电子束通过磁场引导,在同轴介质腔内进行传输。

【技术特征摘要】
1.一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件,包括外筒,所述外筒内设置有阴极、在外筒轴线方向上设置的同轴内导体,所述阴极与同轴内导体同轴,其特征在于所述外筒和同轴内导体之间填充有同轴电介质,所述同轴电介质为周期性交错填充且介电系数不同的两种电介质,所述同轴电介质具有一环形结构的同轴介质腔,所述同轴电介质通过同轴介质腔分为内、两部分外同轴电介质,内同轴电介质和外同轴电介质的两种电介质排列方式相同,阴极发射的环形强流电子束通过磁场引导,在同轴介质腔内进行传输。2.根据权利要求1所述的一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件,其特征在于所述两种电介质沿器件轴线方向呈周期性交错填充。3.根据权利要求1所述的一种周期性电介质填充同轴高功率微波器件,其特征在于所述同轴电介质腔为真空腔。4.根据权利要求1所述的一种周期性电介质填充同...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁恩燕张运俭
申请(专利权)人:中国工程物理研究院应用电子学研究所
类型:发明
国别省市:四川,51

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