【技术实现步骤摘要】
增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法
本专利技术属于高密度信息存储及传感
，涉及上述领域中关键核心材料单元—铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的调控方法，特别是提供了一种利用氮原子掺杂增加铁磁金属/氧化物双层膜的垂直磁各向异性的方法。
技术介绍
近年来，信息存储和传感领域中的一个研究热点是：制备具有垂直磁各向异性(PMA)的铁磁金属(FM)/氧化物(MO)异质结构，如CoFeB/MgO、Co/AlOx、Fe/MgO等，它是构建新型、低功耗、高稳定性自旋电子器件的核心材料单元，如磁随机存储器、赛道存储器、隧道结传感器等。而FM/MO双层膜的PMA主要来源于其界面处的FM3d-O2p轨道杂化[Rev.Mod.Phys.89,025008(2017)；Phys.Rev.B84,054401(2011)]。通过有效的界面轨道杂化，可以获得较大的界面磁各向异性能，克服退磁能以诱导出良好的PMA。然而，通常情况下，直接制备出来的FM/MO双层膜中，铁磁金属通常处于过氧化的状态，很难获得最佳的轨道杂化状态，因此无法实现良好的PMA，这就大大限制了相关器...
【技术保护点】
1.一种增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法，其特征为：在经过表面酸化处理的Si基片上沉积Cr/FeNx/MgO/Ta多层膜，沉积完毕后，对其进行热处理，促进N原子在间隙位置处的均匀占据。
【技术特征摘要】
1.一种增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法，其特征为：在经过表面酸化处理的Si基片上沉积Cr/FeNx/MgO/Ta多层膜，沉积完毕后，对其进行热处理，促进N原子在间隙位置处的均匀占据。2.根据权利要求1所述的增加铁磁金属/氧化物双层膜的界面磁各向异性能的方法，其特征在于：具体步骤为：(1)、对Si基片进行表面酸化处理，所述的Si基片厚度为0.5～0.8毫米，酸化处理的PH值为6-7，酸化时间为3-5分钟；(2)、利用磁控溅射方法，在步骤(1)所述Si基片上依次沉积Cr原子、FeNx原子、MgO原子以及Ta原子，形成Cr/FeNx/MgO/Ta多层膜结构，溅射室的本底真...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯春，姚明可，王世如，唐晓磊，于广华，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：北京,11
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