一种半导体器件及其制作方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成隔离结构材料层和隔离结构硬掩膜层；图形化所述隔离结构硬掩膜层和隔离结构材料层，以形成隔离结构并露出所述半导体衬底；在露出的所述半导体衬底上沉积半导体材料以形成被所述隔离结构分隔的有源区，其中，所述隔离结构材料层和所述有源区的厚度限定所述半导体器件的有效场高度。该制作方法可以更好地控制快闪存储器的有效场高度，从而提高快闪存储器存储单元阈值电压的均一性，进而提高快闪存储器的性能。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法、电子装置
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。
技术介绍
随着半导体制程技术的发展，在存储装置方面已开发出存取速度较快的快闪存储器(flashmemory)。快闪存储器具有可多次进行信息的存入、读取和擦除等动作，且存入的信息在断电后也不会消失的特性，因此，快闪存储器已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器。而NAND(与非门)快闪存储器由于具有大存储容量和相对高的性能，广泛用于读/写要求较高的领域。在NAND快闪存储器中有效场高度EFH(effectivefieldheight)存储单元(cell)阈值电压(VT)的均一性非常重要。存储单元阈值电压控制变得越来越重要，尤其是对于2X/1Xnm的NAND器件。然而，目前有效场高度是通过隔离结构氧化物的凹陷刻蚀和回蚀刻工艺来控制，有效场高度很容易受蚀刻速率变化影响，因此由于工艺复杂在晶圆/晶圆组(lot)中存储单元阈值电压均一性不容易控制，从而影响了器件性能。因此有必要提出一种新的半导体器件的制作方法，以解决上述问题。
技术实现思路
在专利
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成隔离结构材料层和隔离结构硬掩膜层；图形化所述隔离结构硬掩膜层和隔离结构材料层，以形成隔离结构并露出所述半导体衬底；在露出的所述半导体衬底上沉积半导体材料以形成被所述隔离结构分隔的有源区，其中，所述隔离结构材料层和所述有源区的厚度限定所述半导体器件的有效场高度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成隔离结构材料层和隔离结构硬掩膜层；图形化所述隔离结构硬掩膜层和隔离结构材料层，以形成隔离结构并露出所述半导体衬底；在露出的所述半导体衬底上沉积半导体材料以形成被所述隔离结构分隔的有源区，其中，所述隔离结构材料层和所述有源区的厚度限定所述半导体器件的有效场高度。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述隔离结构硬掩膜层包括第一硬掩膜层和第二硬掩膜层。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一硬掩膜层为多晶硅，所述第二硬掩膜层为氧化物。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述有源区的半导体材料通过外延法形成。5.根据权利要求1-4中的任意一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述隔离结构材料层和所述隔离结构硬掩膜层之间还形成有浮...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冠华，杨海玩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31