隧穿场效应晶体管及其制备方法技术

一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，包括：衬底层(1)；形成于衬底层上表面的矩形半导体条(2)，矩形半导体条沿第一方向依次设置有第一源区(201)、第一沟道区(204)、漏区(203)、第二沟道区(205)及第二源区(202)；覆盖于第一源区的第一部分(2011)和第二源区的第三部分(2021)外表面的第一栅电介质层(301)和第二栅电介质层(302)；覆盖于第一栅电介质层外表面的第一栅区(401)，第一栅区所加电场方向指向第一源区；覆盖于第二栅电介质层外表面的第二栅区(402)，第二栅区所加电场方向指向第二源区。采用双源区的设计，增加了源区载流子的隧穿面积，且栅区所加电场方向与源区载流子的隧穿方向一致，增加了隧穿几率，而隧穿电流与隧穿面积和隧穿几率成正比，因此，隧穿电流较大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵静，张臣雄，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44