一种半导体制作方法及其设备技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体制作方法及其设备，用于制造隧穿场效应晶体管。本发明专利技术实施例方法包括：使用光刻技术在所述隧穿场效应晶体管基材的表面上确定第一极的位置，所述第一极为源极或者漏极；制作所述第一极的位置上的主轴结构，所述主轴结构包括多晶硅层和氮化物层，其中，所述多晶硅层与所述隧穿场效应晶体管基材的表面接触；制作所述多晶硅层的氮化物侧壁，以使得所述多晶硅层的表面密封于所述隧穿场效应晶体管基材的表面、所述氮化物侧壁和所述氮化物层；确定在所述隧穿场效应晶体管基材的表面上所述主轴结构和所述氮化硅侧壁以外的区域作为第二极的位置，所述第二极为漏极或者源极，且所述第二极不同于所述第一极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡皓程，杨喜超，张臣雄，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44