【技术实现步骤摘要】
DC-40GHz反射式单刀单掷开关
本技术涉及微波开关
,具体为DC-40GHz反射式单刀单掷开关。
技术介绍
传统的开关控制电路,通常采用单级串联/并联晶体管结构,或者两级串并联晶体管结构来实现。单级的串联结构,具有宽带,高频插损大,隔离度小的特点,单级的并联结构,具有窄带,高频插损小而隔离度大的特点;两级串并联结构结合了两者的优点,但是也需要在插损和隔离度之间进行折中。
技术实现思路
本技术的目的在于提供DC-40GHz反射式单刀单掷开关,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。所述DC-40GHz反射式单刀单掷开关具有电路结构简单,具有超带宽、开态输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点,解决了传统电路指标的不足和缺陷的特点。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种DC-40GHz反射式单刀单掷开关,包括有7级开关晶体管结构,两个射频端口,两个直流控制端口,第1级晶体管漏极通过电感与两个射频端口中其中之一相连,第7级晶体管漏极通过电感与两个射频端口中另一个相连;各级晶体管漏极通过电感相连,组成多级串并联开关结构;各级晶体管栅极通过电阻与直流控制端口相连,实现状态控制;电路简单,整体电路以第4级晶体管为轴线镜面对称;两个射频端口可互易分别作为输入、输出端口。与现有技术相比,本技术的有益效果是:7级开关晶体管并联结构的晶体管,能够在宽带上提供较大的隔离度功能;各级晶体管之间通过电感(微带线等效)相连,通过优化电感和晶体管寄生电容,能够在宽带内实现良好的匹配,具有超带宽、开态输入输出反射系数小、插损小、隔离度高、尺寸小等优点,解决了传统电路指标的不足和 ...
【技术保护点】
1.一种DC‑40GHz反射式单刀单掷开关,其特征在于:包括有7级开关晶体管结构,两个射频端口,两个直流控制端口,第1级晶体管漏极通过电感与两个射频端口中其中之一相连,第7级晶体管漏极通过电感与两个射频端口中另一个相连;各级晶体管漏极通过电感相连,组成多级串并联开关结构;各级晶体管栅极通过电阻与直流控制端口相连,实现状态控制;整体电路以第4级晶体管为轴线镜面对称;两个射频端口可互易分别作为输入、输出端口。
【技术特征摘要】
1.一种DC-40GHz反射式单刀单掷开关,其特征在于:包括有7级开关晶体管结构,两个射频端口,两个直流控制端口,第1级晶体管漏极通过电感与两个射频端口中其中之一相连,第7级晶体管漏极通过电感与两个射频端...
【专利技术属性】
技术研发人员:齐步坤,黄军恒,
申请(专利权)人:合肥芯谷微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。