The invention provides a method for realizing gallium-based liquid metal spreading on the surface of solid wafers, belonging to the technical field of heat dissipation of electronic devices. A continuous Ga2O3 film was deposited on the surface of the non-wetting solid sheet, and the Ga2O3 film was annealed to form a composite structure film of Ga2O3 layer/Ga_O mixed layer/metal Ga layer from inside to outside. The Ga-based liquid metal droplets are deposited on the surface of the composite structure film. The Ga-based liquid metal is completely wetted between the Ga layer and the Ga layer. The liquid metal is spread on the surface of the solid sheet. The invention avoids conduction between the solid sheet and the liquid metal, and realizes the infiltration and spreading of gallium-based liquid metal on the surface of the solid sheet.
【技术实现步骤摘要】
一种实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法
本专利技术涉及一种实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法，属于电子器件散热
技术介绍
液态金属是指熔点较低的金属或者金属化合物。一般来讲，其在常温下或者温度略高于常温的条件下就已熔化成为液态。常见的液态金属如水银、金属镓以及镓基金属化合物。液态金属以其较高的导热能力和导电能力在能量管理、转化和储存等各个方面都得到了广泛的应用。众所周知，液态金属镓及其合金具有熔点低、热导率高以及流动性好等优点，特别是其热导率更是远高出常规热界面材料如硅油或其添加有高导热纳米颗粒材料1个数量级，是一种十分理想的热界面材料。近年来，越来越多的学者开始探索液态金属在提高界面传热方面的应用。液态金属直接作为热界面材料易发生溢出的现象，液态金属与固体热沉的润湿性尚不够理想。图1示出镓基液态金属Ga62.5In21.5Sn16在铜片表面形成的液滴，表明镓基液态金属Ga62.5In21.5Sn16在未经特别处理的铜片表面是疏水性的。因此液态金属无法很好地在固体表面铺展,填充于界面后仍会有部分接触面存在一定空隙，因而会影响导热性能。通过对现有文献的...
【技术保护点】
1.一种实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法，其特征是用真空磁控非反应溅射镀膜在固体片表面制备Ga2O3薄膜，在H2‑Ar混合气体中退火Ga2O3薄膜形成从里往外的Ga2O3层/Ga‑O混合层/金属Ga层的复合结构薄膜，镓基液态金属液滴沿复合结构薄膜表面扩展并铺展在固体片表面。
【技术特征摘要】
1.一种实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法，其特征是用真空磁控非反应溅射镀膜在固体片表面制备Ga2O3薄膜，在H2-Ar混合气体中退火Ga2O3薄膜形成从里往外的Ga2O3层/Ga-O混合层/金属Ga层的复合结构薄膜，镓基液态金属液滴沿复合结构薄膜表面扩展并铺展在固体片表面。2.根据权利要求1所述的实现固体片表面镓基液态金属铺展的方法，其特征是在Ar气氛围中射频磁控溅射Ga2O3靶材制备Ga2O3薄膜，固体片与Ga2O3靶材距离为60-70mm，溅射室Ar气压强0.2-2Pa，溅射功率密度1.5-5....
【专利技术属性】
技术研发人员：闫金良，闫慧龙，李宏光，
申请(专利权)人：鲁东大学，
类型：发明
国别省市：山东,37
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