一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：以Er占总粉末的摩尔百分比含量0.5％～4％为标准称取ZnO粉末和Er2O3粉末，将称取的粉末添加酒精混合后经300℃预烧结处理使粉末结成块状，再将经预烧结处理后的粉末经1000℃烧结处理，制得Er掺杂ZnO靶材；将制得的靶材和蓝宝石衬底装入PLD系统中，靶材和蓝宝石衬底的距离为

【技术实现步骤摘要】
一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法
本专利技术涉及半导体薄膜材料领域，具体涉及一种高质量、低电阻率、在低温情况下仍具有良好导电性的ZnO基透明导电薄膜的制备方法。
技术介绍
透明导电氧化物(TCO)薄膜因具有的优良光电性能使其在太阳能电池、液晶显示器、热反射镜和建筑玻璃节能等诸多领域获得了广泛的研究和应用。氧化铟锡(ITO)镀膜玻璃是一种非常成熟的产品，具有透过率高、膜层牢固、导电性好等特点，初期曾应用于光伏电池的前电极。但随着光吸收性能要求的提高，TCO玻璃必须具备提高光散射的能力，而ITO镀膜很难做到这一点，并且激光刻蚀性能也较差。铟为稀有元素，在自然界中贮存量少，价格较高。ITO应用于太阳能电池时在等离子体中不够稳定。近年来，ZnO作为一种透明导电氧化物薄膜材料引起了广泛的关注，与传统的In2O3基和SnO2基透明导电薄膜相比，ZnO透明导电薄膜具有原材料丰富、无毒、掺杂可以提高薄膜的电导率和稳定性等优点，作为一种重要的光电子信息材料，ZnO透明导电薄膜优良的光电特性使其在太阳能电池、液晶显示器、热反射镜等领域得到广泛的应用。由于ZnO薄膜的电阻率很大，为提高ZnO薄膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：以Er占总粉末的摩尔百分比含量0.5％～4％为标准称取ZnO粉末和Er2O3粉末，将称取的粉末添加酒精混合后经300℃预烧结处理使粉末结成块状，再将经预烧结处理后的粉末经1000℃烧结处理，制得Er掺杂ZnO靶材；将制得的靶材和蓝宝石衬底装入PLD系统中，靶材和蓝宝石衬底的距离为

【技术特征摘要】
1.一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：以Er占总粉末的摩尔百分比含量0.5％～4％为标准称取ZnO粉末和Er2O3粉末，将称取的粉末添加酒精混合后经300℃预烧结处理使粉末结成块状，再将经预烧结处理后的粉末经1000℃烧结处理，制得Er掺杂ZnO靶材；将制得的靶材和蓝宝石衬底装入PLD系统中，靶材和蓝宝石衬底的距离为将溅射室抽真空至6*10-4Pa，通入氧气，控制生长压力为0.026Pa，在脉冲激光沉积过程中，控制激光器能量为250～400mJ，频率为1～20HZ，蓝宝石衬底为500～800℃，生长时间为1～3h，制得Er掺杂ZnO透明导电薄膜。2.根据权利要求1所述的一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：以Er占总粉末的摩尔百分比含量1％为标准称取ZnO粉末和Er2O3粉末。3.根据权利要求1所述的一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：以Er占总粉末的摩尔百分比含量2％为标准称取ZnO粉末和Er2O3粉末。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：宿世臣，王果，凌志聪，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东,44