VDMOS power device plastic seal, anti lamination warpage structure. The invention relates to the field of electronic packaging technology, in particular to the anti lamination warpage structure of VDMOS power device plastic seal. A plastic sealing and anti-layer warping structure for VDMOS power devices with simple structure, convenient processing and improved product quality is provided. Including a rectangular base plate, the top surface of the base plate is provided with a rectangular chip bonding area, the top four corners of the base plate are respectively provided with a first metal convex column group, the top four corners of the chip bonding area of the base plate are respectively provided with a second metal convex column group, and the bottom surface of the base plate is provided with a third metal convex column group and a fourth metal convex column group, the base plate and the fourth metal convex column group. The first metal protruding column group is directly above the third metal protruding column group, and the second metal protruding column group is directly above the fourth metal protruding column group. The VDMOS power device of the utility model has the advantages of unique structure design, simple structure and convenient fabrication.
【技术实现步骤摘要】
VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构
本技术涉及电子封装
，尤其涉及VDMOS功率器件塑封用防分层翘曲结构。
技术介绍
以VDMOS（垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管）为典型代表的功率半导体器件是电力电子领域的主流元器件，在大功率开关、功率转换等领域有着广泛的应用。塑料封装因其在成本、工艺等方面的优势是目前VDMOS功率器件的主要封装形式之一。但塑料封装的非气密性会带来潜在的可靠性问题，封装体分层就是其中最常见的一种失效模式。塑料封装体分层是指发生在塑封体与封装框架或基板、芯片、引脚键合区界面处的开裂和翘曲现象。塑封体的分层会导致其中金属互连的断裂、钝化层破损、焊球偏移以及环境气氛的侵入而使芯片及封装框架材料腐蚀等，并由此带来VDMOS芯片电学性能的退化和失效。研究表明，塑料封装体分层的主要原因是封装体中不同材料间热膨胀系数差异所导致的热应力效应和封装体内吸附的水汽在高低温冲击下的湿应力效应共同作用的结果。具有相对较大的热膨胀系数的塑封体，与封装框架和芯片的热失配，在温变载荷下易于产生热机械应力，而高聚物塑封体的亲水性和多孔性，使得封装体极易吸收环境...
【技术保护点】
1.VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构，其特征在于，包括矩形基板，所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区，基板顶面四角端分别设有第一金属凸柱组，基板顶面的芯片粘接区四角外侧分别设有第二金属凸柱组，基板底面设有第三金属凸柱组和第四金属凸柱组，所述基板和第一~四金属凸柱组上覆盖有塑封体；所述第一金属凸柱组位于第三金属凸柱组的正上方，第二金属凸柱组位于第四金属凸柱组的正上方；第一~四金属凸柱组包括若干金属凸柱，其中，两两金属凸柱之间设有间距。
【技术特征摘要】
1.VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构，其特征在于，包括矩形基板，所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区，基板顶面四角端分别设有第一金属凸柱组，基板顶面的芯片粘接区四角外侧分别设有第二金属凸柱组，基板底面设有第三金属凸柱组和第四金属凸柱组，所述基板和第一~四金属凸柱组上覆盖有塑封体；所述第一金属凸柱组位于第三金属凸柱组的正上方，第二金属凸柱组位于第四金属凸柱组的正上方；第一~四金属凸柱组包括若干金属凸柱，其中，两两金属凸柱之间设有间距。2.根据权利要求1所述的VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构，其特征在于，所述第一金属凸柱组中的若干金属凸柱排布成若干金属凸柱列一，若干金属凸柱列一依次排列且长度逐渐增加，两两金属凸柱列一之间的间距相同；若干金属凸柱列一构成等腰直角三角形，所述第一金属凸柱组的两直角边分别平行于基板的角端两边。3.根据权利要求1所述的VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构，其特征在于，所述第二金属凸柱组中的若干金属凸柱排布成若干金属凸柱列二，若干金属凸柱二列依次排列且长度逐渐增加，两两金属凸柱列二之间的间距相同；若干金属凸柱列二构成等腰直角三角形，所述第二金属凸柱组的两直角边分别平行于芯片粘接区的角端两边。4.根据权利要求1所述的VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构，其特征在于，所述第三金属凸柱组中的若干金属凸柱形成至少两个矩形金属凸柱环一，各个矩...
【专利技术属性】
技术研发人员：周理明，王毅，赵成，孙越，张孔欣，韩亚，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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