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VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。涉及电子封装技术领域,尤其涉及VDMOS功率器件塑封用防分层翘曲结构。提供了一种结构简单,方便加工,提高产品质量的VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。包括矩形基板,所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区...该专利属于扬州扬杰电子科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过扬州扬杰电子科技股份有限公司授权不得商用。
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