一种PECVD设备腔体密封用紧固件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PECVD设备腔体密封用紧固件，用于PECVD设备腔体内紧固密封底座和波纹管法兰，紧固件包括与波纹管法兰密封连接的上部台阶孔，紧固件的上部台阶孔的底部垂直向上适度提升，直至紧固件的上部台阶孔的底部与所述波纹管法兰的底部及外围之间完全无缝对接。紧固件的上部台阶孔的底部垂直向上提升的高度为2mm，即紧固件的上部台阶孔的深度尺寸为7mm。经过对铜紧固件工艺结构尺寸的改进，使得其整体结构强度明显得到了提升，抗变形能力显著提高，进而不仅延长了其使用寿命，有效地增强PECVD设备腔体的高真空密封环境。

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD设备腔体密封用紧固件
本技术属于晶圆生产
，涉及PLC晶圆生产中所用的PECVD设备，具体地说，涉及一种PECVD设备腔体密封用铜紧固件。
技术介绍
在PLC晶圆生产中，等离子体增强化学沉积(以下简称PECVD)设备作为第一道也是最重要的一道工序，沉积芯层，但由于PECVD设备属于高温真空设备，PECVD设备腔体内需采用顶针的上下运动来协助手臂载入取出产品，并由腔体底座下用电机来控制顶针上下运动，而电机和顶针之间采用波纹管来密封，保证腔体高真空环境，并用铜紧固件作为波纹管法兰和腔体底座之间的密封件。腔体内高温高氧工艺环境中，极易氧化波纹管法兰和腔体底座之间的铜紧固件并使之氧化变形，不能很好地保持腔体内的高真空环境。如图1、2、6所示，由于作为紧固件的腔体密封用铜紧固件，其原有上部台阶孔的深度尺寸H'为9mm，在晶圆生产工艺过程中，PECVD设备腔体密封用铜紧固件在高温氧化下导致的严重变形直接影响到腔体的高真空环境，因此，非常有必要对现有铜紧固件的工艺结构尺寸进行改进，以增强PECVD设备腔体的真空密封环境。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术的不足或缺陷，提供一种PECVD设备腔体密封用铜紧固件，经过对铜紧固件工艺结构尺寸的改进，使得其整体结构强度明显得到了提升，抗变形能力显著提高，进而不仅延长了其使用寿命，有效地增强PECVD设备腔体的高真空密封环境。为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种PECVD设备腔体密封用紧固件，用于PECVD设备腔体内紧固密封底座和波纹管法兰，所述紧固件包括与所述波纹管法兰密封连接的上部台阶孔，其特征在于，所述紧固件的上部台阶孔的底部垂直向上适度提升，直至所述紧固件的上部台阶孔的底部与所述波纹管法兰的底部及外围之间完全无缝对接。上述PECVD设备腔体密封用紧固件，其中：所述紧固件的上部台阶孔的底部垂直向上提升的高度为2mm。所述紧固件的上部台阶孔的深度尺寸为7mm。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：尽管与原有的紧固件相比，其上部台阶孔的深度H只减少了2mm，但实践表明，改进后的紧固件，整体结构强度明显得到了提升，可显著地提高铜紧固件的抗变形能力，进而不仅延长了其使用寿命，同时，关键是使其可以更加密封地紧固波纹管法兰和底座，即使处在高温氧化环境下，仍能有效密封PECVD设备腔体，保持高真空环境。附图说明图1是本技术涉及的PECVD设备腔体密封紧固件的总体装配结构示意图；图2是图1中涉及的改进前的紧固件主视结构示意图；图3是图1中涉及的本技术紧固件的主视结构示意图；图4是图2或3的左视结构示意图；图5是图2或3的后视结构示意图；图6是沿图2中A'-A'线的剖视结构示意图；图7是沿图3中A-A线的剖视结构示意图。具体实施方式下面结合以上附图，对本技术的技术方案和有益效果做进一步的描述和说明。请参阅图1，配合参阅图3-5、7，图中示出了本技术涉及的一种PECVD设备腔体密封用紧固件，用于PECVD设备腔体内紧固密封底座和波纹管法兰，紧固件包括与波纹管法兰密封连接的上部台阶，其关键技术方案在于：紧固件5的上部台阶孔5a的底部垂直向上适度提升，直至紧固件5的上部台阶孔5a的底部与波纹管法兰4的底部及外围之间完全无缝对接。紧固件5的上部台阶孔5a的底部垂直向上提升的高度为2mm，即紧固件5的上部台阶孔5a的深度尺寸H为7mm。如图1所示，PECVD设备腔体内底座1中间的顶针2下面通过波纹管4连接，并通过铜紧固件5来紧固密封底座1和波纹管法兰4。由于铜垫圈3长期在高温高氧环境下氧化变形，直接影响到了腔体内的真空度，因此，现有的铜紧固件5不能有效地紧固密封底座1和波纹管法兰4。但重新改造设计铜紧固件5，如图6所示，减小铜紧固件上部台阶孔的深度尺寸H，本实施例中，上部台阶孔的深度尺寸H为7mm。尽管与原有的紧固件相比，其上部台阶孔的深度H只减少了2mm，但实践表明，改进后的紧固件，整体结构强度尤其是抗变形能力明显得到了提升，可显著地降低铜紧固件的变形程度，进而不仅延长了其使用寿命，同时，关键是使其可以更加密封地紧固波纹管法兰4和底座1，即使高温氧化环境，也能有效密封PECVD腔体保持高真空环境。以上实施例仅供说明本技术之用，而非对本技术的限制，有关
的技术人员，在不脱离本技术的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本技术的范畴，应由各权利要求所限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PECVD设备腔体密封用紧固件，用于PECVD设备腔体内紧固密封底座和波纹管法兰，所述紧固件包括与所述波纹管法兰密封连接的上部台阶孔，其特征在于，所述紧固件的上部台阶孔的底部垂直向上适度提升，直至所述紧固件的上部台阶孔的底部与所述波纹管法兰的底部及外围之间完全无缝对接。

【技术特征摘要】
1.一种PECVD设备腔体密封用紧固件，用于PECVD设备腔体内紧固密封底座和波纹管法兰，所述紧固件包括与所述波纹管法兰密封连接的上部台阶孔，其特征在于，所述紧固件的上部台阶孔的底部垂直向上适度提升，直至所述紧固件的上部台阶孔的底部与所述波纹管法兰的底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠良，夏国帅，李雪峰，牛默予，邢安，
申请(专利权)人：上海鸿辉光通科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31