电流传感器以及电流传感器模块制造技术

具备：导体(110)，流过测定对象的电流，具有长度方向、正交于该长度方向的宽度方向(Y轴方向)、以及正交于上述长度方向和宽度方向(Y轴方向)的高度方向(Z轴方向)；和对由上述电流产生的磁场的强度进行检测的第1磁传感器(120a)以及第2磁传感器(120b)。第1磁传感器(120a)以及第2磁传感器(120b)分别位于宽度方向(Y轴方向)上的第1导体部(111)与第2导体部(112)之间的区域(Ty)、并且位于第1导体部(111)以及第2导体部(112)两者的高度方向(Z轴方向)上的包含从一端到另一端的区域(Tz)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电流传感器以及电流传感器模块
本专利技术涉及电流传感器以及电流传感器模块。
技术介绍
作为公开了电流传感器的结构的在先文献，存在JP特开2010-48809号公报(专利文献1)。在专利文献1所述的第1实施方式所涉及的电流传感器中，导体由第1导体部和第2导体部构成。第1导体部与第2导体部相互分离。在第1导体部与第2导体部之间，形成中间空间。设置有磁传感器的支承体被插入到中间空间，由此磁传感器被配置于导体的磁场内并且被配置于中间空间的外部。专利文献1所述的第2实施方式所涉及的电流传感器的导体被弯曲多次。导体包含相互隔开间隔地排列的第1导体部要素、第2导体部要素和第3导体部要素。在第1导体部要素与第2导体部要素之间，配置第1磁传感器。在第2导体部要素与第3导体部要素之间，配置第2磁传感器。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2010-48809号公报
技术实现思路
-专利技术要解决的课题-在专利文献1所述的第1实施方式所涉及的电流传感器中，由于导体分支为第1导体部和第2导体部，因此流过导体的电流被分开而流过第1导体部和第2导体部。因此，在第1导体部的周围产生的磁场的强度以及在第2导体部的周围产生的磁场的强度分别比在未分支的部分的导体的周围产生的磁场的强度弱。其结果，由于施加于磁传感器的磁场的强度较弱，因此磁传感器的输出变低，电流传感器的灵敏度变低。由于专利文献1所述的第2实施方式所涉及的电流传感器的第2导体部要素位于第1磁传感器与第2磁传感器之间，因此第1磁传感器与第2磁传感器之间的距离变长。在第1磁传感器与第2磁传感器之间的距离较长的情况下，由于分别施加于第1磁传感器以及第2磁传感器的外部磁场的强度之差变大，故基于外部磁场的电流传感器的测定值的偏差变大。本专利技术鉴于上述的问题点而作出，其目的在于，提供一种针对由测定对象的电流产生的磁场，灵敏度较高、基于外部磁场的测定值的偏差较少的电流传感器以及电流传感器模块。-解决课题的手段-基于本专利技术的电流传感器具备：导体，流过测定对象的电流，具有长度方向、正交于该长度方向的宽度方向、以及正交于上述长度方向和上述宽度方向的高度方向；和对由上述电流产生的磁场的强度进行检测的第1磁传感器以及第2磁传感器。导体包含：第1导体部，在上述长度方向上延伸并具有上述长度方向上的第1一端部以及第1另一端部；第2导体部，在上述宽度方向上与第1导体部隔开间隔并且在上述长度方向上延伸并具有上述长度方向上的第2一端部以及第2另一端部；和第3导体部，从上述高度方向观察，位于第1导体部与第2导体部之间，并且从上述长度方向观察，相对于第1导体部以及第2导体部位于上述高度方向的一侧，具有上述长度方向上的第3一端部以及第3另一端部。第3另一端部与第1另一端部连接。第3一端部与第2一端部连接。第1磁传感器以及第2磁传感器分别位于上述宽度方向上的第1导体部与第2导体部之间的区域、并且位于第1导体部以及第2导体部两者的上述高度方向上的包含从一端到另一端的区域。在本专利技术的一方式中，第1磁传感器与第1导体部的最短距离比第1磁传感器与第2导体部的最短距离短。第2磁传感器与第2导体部的最短距离比第2磁传感器与第1导体部的最短距离短。在本专利技术的一方式中，第1磁传感器与第1导体部的最短距离比第1磁传感器与第3导体部的最短距离短。第2磁传感器与第2导体部的最短距离比第2磁传感器与第3导体部的最短距离短。在本专利技术的一方式中，还具备：计算部，通过对第1磁传感器的检测值和第2磁传感器的检测值进行运算来计算上述电流的值。第1磁传感器对上述磁场的检测值与第2磁传感器对上述磁场的检测值相互反相。计算部是减法器或者差动放大器。在本专利技术的一方式中，还具备：计算部，通过对第1磁传感器的检测值与第2磁传感器的检测值进行运算来计算上述电流的值。第1磁传感器对上述磁场的检测值与第2磁传感器对上述磁场的检测值相互同相。计算部是加法器或者加法放大器。在本专利技术的一方式中，第1导体部以及第2导体部分别具有板状的形状。从上述长度方向观察，包含第1导体部的第2导体部一侧的面的第1假想平面与包含第2导体部的第1导体部一侧的面的第2假想平面相互平行。在本专利技术的一方式中，第1导体部的一部分与第2导体部的一部分相互对置。在本专利技术的一方式中，从上述宽度方向观察，第1导体部与第2导体部的位置在上述高度方向上相互错开。在本专利技术的一方式中，第1导体部以及第2导体部分别具有板状的形状。从上述长度方向观察，包含第1导体部的第2导体部一侧的面的第1假想平面与包含第2导体部的第1导体部一侧的面的第2假想平面相互交叉。在本专利技术的一方式中，第3导体部在上述长度方向上延伸。在本专利技术的一方式中，第3导体部在上述长度方向以及上述宽度方向上延伸。在本专利技术的一方式中，第3导体部具有板状的形状。在本专利技术的一方式中，从上述长度方向观察，第3导体部具有在上述高度方向上向与第1导体部侧相反的一侧弯成凸状的形状。在本专利技术的一方式中，上述弯成凸状的形状是弯曲形状。在本专利技术的一方式中，上述弯成凸状的形状是弯折形状。在本专利技术的一方式中，电流传感器还具备：基板，安装有第1磁传感器以及第2磁传感器；和壳体，收纳基板。壳体与导体固定。在本专利技术的一方式中，壳体分别相接于第1导体部、第2导体部以及第3导体部。基于本专利技术的电流传感器模块具备多个上述的电流传感器。多个电流传感器各自的导体被并排配置。在本专利技术的一方式中，多个电流传感器在上述高度方向上相互隔开间隔地排列。在相互相邻的电流传感器彼此，一个电流传感器的上述宽度方向上的第1导体部与第2导体部之间的上述区域与另一个电流传感器的第3导体部对置。在本专利技术的一方式中，多个电流传感器在上述宽度方向上相互隔开间隔地排列，并且在上述长度方向上相互隔开间隔地排列。在相互相邻的电流传感器彼此，一个电流传感器的上述宽度方向上的第1导体部与第2导体部之间的上述区域在上述长度方向上对置于另一个电流传感器的上述宽度方向上的第1导体部与第2导体部之间的上述区域。-专利技术效果-根据本专利技术，在电流传感器中，针对由测定对象的电流产生的磁场，能够提高灵敏度，并且能够减少基于外部磁场的测定值的偏差。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器的外观的立体图。图2是从箭头II方向观察图1的电流传感器的主视图。图3是表示本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器所具备的导体被折弯之前的形状的展开图。图4是表示本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器的电路结构的电路图。图5是表示对在本专利技术的实施方式1所涉及的电流传感器的导体的周边产生的磁场的磁通密度的分布进行模拟解析的结果的等高线图。图6是表示从图5中的起点S到终点E在Y轴方向延伸的假想直线上的磁通密度的Z轴方向的分量(mT)与距起点S的距离(mm)的关系的曲线图。图7是表示本专利技术的实施方式2所涉及的电流传感器的结构的主视图。图8是表示本专利技术的实施方式3所涉及的电流传感器的外观的立体图。图9是表示本专利技术的实施方式3的变形例所涉及的电流传感器的外观的立体图。图10是表示本专利技术的实施方式4所涉及的电流传感器的外观的立体图。图11是从箭头XI方向观察图10的电流传感器的立体图。图12是表示本专利技术的实施方式4所涉及的电流传感器所具备的导体的外观的立体图。图13是表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电流传感器，具备：导体，流过测定对象的电流，具有长度方向、正交于该长度方向的宽度方向、以及正交于所述长度方向和所述宽度方向的高度方向；和第1磁传感器以及第2磁传感器，对由所述电流产生的磁场的强度进行检测，所述导体包含：第1导体部，在所述长度方向上延伸并具有所述长度方向上的第1一端部以及第1另一端部；第2导体部，在所述宽度方向上与所述第1导体部隔开间隔并且在所述长度方向延伸，并具有所述长度方向上的第2一端部以及第2另一端部；和第3导体部，从所述高度方向观察，位于所述第1导体部与所述第2导体部之间，并且从所述长度方向观察，相对于所述第1导体部以及所述第2导体部而位于所述高度方向的一侧，具有所述长度方向上的第3一端部以及第3另一端部，所述第3另一端部与所述第1另一端部连接，所述第3一端部与所述第2一端部连接，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器分别位于所述宽度方向上的所述第1导体部与所述第2导体部之间的区域、并且位于所述第1导体部以及所述第2导体部两者的所述高度方向上的包含从一端到另一端的区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.09 JP 2016-1153281.一种电流传感器，具备：导体，流过测定对象的电流，具有长度方向、正交于该长度方向的宽度方向、以及正交于所述长度方向和所述宽度方向的高度方向；和第1磁传感器以及第2磁传感器，对由所述电流产生的磁场的强度进行检测，所述导体包含：第1导体部，在所述长度方向上延伸并具有所述长度方向上的第1一端部以及第1另一端部；第2导体部，在所述宽度方向上与所述第1导体部隔开间隔并且在所述长度方向延伸，并具有所述长度方向上的第2一端部以及第2另一端部；和第3导体部，从所述高度方向观察，位于所述第1导体部与所述第2导体部之间，并且从所述长度方向观察，相对于所述第1导体部以及所述第2导体部而位于所述高度方向的一侧，具有所述长度方向上的第3一端部以及第3另一端部，所述第3另一端部与所述第1另一端部连接，所述第3一端部与所述第2一端部连接，所述第1磁传感器以及所述第2磁传感器分别位于所述宽度方向上的所述第1导体部与所述第2导体部之间的区域、并且位于所述第1导体部以及所述第2导体部两者的所述高度方向上的包含从一端到另一端的区域。2.根据权利要求1所述的电流传感器，其中，所述第1磁传感器与所述第1导体部的最短距离比所述第1磁传感器与所述第2导体部的最短距离短，所述第2磁传感器与所述第2导体部的最短距离比所述第2磁传感器与所述第1导体部的最短距离短。3.根据权利要求2所述的电流传感器，其中，所述第1磁传感器与所述第1导体部的最短距离比所述第1磁传感器与所述第3导体部的最短距离短，所述第2磁传感器与所述第2导体部的最短距离比所述第2磁传感器与所述第3导体部的最短距离短。4.根据权利要求1至3的任意一项所述的电流传感器，其中，所述电流传感器还具备：计算部，通过对所述第1磁传感器的检测值和所述第2磁传感器的检测值进行运算来计算所述电流的值，所述第1磁传感器对所述磁场的检测值与所述第2磁传感器对所述磁场的检测值相互反相，所述计算部是减法器或者差动放大器。5.根据权利要求1至3的任意一项所述的电流传感器，其中，所述电流传感器还具备：计算部，通过对所述第1磁传感器的检测值和所述第2磁传感器的检测值进行运算来计算所述电流的值，所述第1磁传感器对所述磁场的检测值与所述第2磁传感器对所述磁场的检测值相互同相，所述计算部是加法器或者加法放大器。6.根据权利要求1至5的任意一项所述的电流传感器，其中，所述第1导体部以及所述第2导体部分别具有板状的形状，从所述长度方向观察，包含所述第1导体部的第2导体部一侧的面的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：清水康弘，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP