磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜制造技术

一种溅射靶或膜，其特征在于，选自Ca、K、Na、Pb、Zn中的任意一种以上元素的氧化物为0.1摩尔％～10摩尔％，Cr为45摩尔％以下，Pt为45摩尔％以下，剩余部分包含Co。本发明专利技术的课题在于提供能够大幅减少由氧化物引起的粉粒、并且能够显著地提高成膜时的成品率的溅射靶。由此，能够进行品质良好的磁记录层的成膜，并且能够改善磁记录介质的成品率等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜
本专利技术涉及适合形成磁记录介质中的磁性薄膜的溅射靶。特别是，涉及具有在以Co作为主要成分的金属相中分散有氧化物粒子的组织结构的溅射靶。
技术介绍
在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域中，使易磁化轴沿与记录面垂直的方向取向的垂直磁记录方式已得到实用化。特别是在采用垂直磁记录方式的硬盘介质中，为了实现高记录密度化和低噪声化，正在开发利用非磁性材料将沿垂直方向取向的磁性晶粒包围、减少磁性粒子间的磁相互作用的颗粒结构型的磁性薄膜。使用以Co作为主要成分的强磁性合金作为上述磁性晶粒，另外，使用氧化物作为非磁性材料。并且，这样的颗粒结构型的磁性薄膜通过利用磁控溅射装置使具有在金属相中分散有氧化物粒子的组织结构的溅射靶溅射到基板上而制作。但是，在溅射工序中，被称为粉粒的、薄膜形成基板上的附着物成为问题。已知在成膜时产生的粉粒大多为靶中的氧化物。认为在溅射中在靶的溅射面发生异常放电、氧化物从靶的溅射面上脱落是粉粒的产生原因。关于具有在金属相中分散有氧化物粒子的组织结构的溅射靶及其制造方法，已知各种技术(专利文献1～7等)。例如，在专利文献1中公开了下述方法：在利用球磨机本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射靶，其特征在于，选自Ca、K、Na、Pb、Zn中的任意一种以上元素的氧化物为0.1摩尔％～10摩尔％，Cr为45摩尔％以下，Pt为45摩尔％以下，剩余部分包含Co。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.19 JP 2016-0304881.一种溅射靶，其特征在于，选自Ca、K、Na、Pb、Zn中的任意一种以上元素的氧化物为0.1摩尔％～10摩尔％，Cr为45摩尔％以下，Pt为45摩尔％以下，剩余部分包含Co。2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有1摩尔％～20摩尔％的选自Co、Cr、Si、Ti中的任意一种以上元素的氧化物。3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征在于，所述溅射靶含有1摩尔％～30摩尔％的选自Au、Ag、B、Cu、Ga、Ge、Ir、Mn、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Sn、Ta、W、V、Zn中的任意一种以上...

【专利技术属性】
技术研发人员：小庄孝志，
申请(专利权)人：捷客斯金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP