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磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜制造技术
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文档序号:19245823
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一种溅射靶或膜,其特征在于,选自Ca、K、Na、Pb、Zn中的任意一种以上元素的氧化物为0.1摩尔%~10摩尔%,Cr为45摩尔%以下,Pt为45摩尔%以下,剩余部分包含Co。本发明的课题在于提供能够大幅减少由氧化物引起的粉粒、并且能够显著...
该专利属于捷客斯金属株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过捷客斯金属株式会社授权不得商用。
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