一种半导体器件的制作方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制作方法，所述方法包括:提供前端器件，所述前端器件中形成有接触孔开口；处理所述接触孔开口的底部，以使在形成所述接触孔开口时在所述接触孔开口的底部形成的接触界面复合物破碎；对所述前端器件的表面进行处理，以改善所述表面与清洗液的接触性能；采用清洗液去除所述接触界面复合物，去除所述接触界面复合物时所述前端器件倾斜放置。根据本发明专利技术提供的半导体器件的制作方法，避免了在形成接触孔的工艺过程中由于产生接触界面复合物而造成的接触电阻过大与接触不良等问题，保证半导体器件的性能稳定、提高了产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制作方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制作方法。
技术介绍
在半导体
中，半导体集成电路的制造是极其复杂的过程，目的在于将特定电路所需的电子组件和线路，缩小制作在小面积的晶片上。其中，各个组件必须通过适当的内连导线来进行电连接，才能发挥所期望的功能。由于集成电路的制造向超大规模集成电路发展，其内部的电路密度越来越大，随着芯片中所含元件数量的不断增加，实际上就减少了表面连线的可用空间。这一问题的解决方法是采用多层金属导线设计，利用多层绝缘层和导电层相互叠加的多层连接，这其中就需要制作大量的接触孔。比如，现有的MOS晶体管工艺中，需要在源极、漏极以及多晶硅栅极上形成接触孔。在实际工艺中，当刻蚀层间介电层(ILD)和接触孔刻蚀阻挡层(CESL)以形成接触孔(contact)时，在相应的刻蚀区域会产生接触界面复合物；当采用高速率刻蚀时，产生接触界面复合物的问题更严重。这些接触界面复合物堆积在接触孔开口的底部非常容易造成器件的接触电阻过大，而且会对后续工艺造成影响，如造成接触不良甚至开路(open)现象。因此，有必要提出一种半导体器件的制作方法，能有效去除刻蚀区域产生的接触界面复合物，保证半导体器件的性能稳定、提高产品良率。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。针对现有技术的不足，本专利技术提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供前端器件，所述前端器件中形成有接触孔开口；处理所述接触孔开口的底部，以使在形成所述接触孔开口时在所述接触孔开口的底部形成的接触界面复合物破碎；对所述前端器件的表面进行处理，以改善所述表面与清洗液的接触性能；采用清洗液去除所述接触界面复合物。进一步，所述前端器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的栅极和源/漏极、覆盖所述栅极和源/漏极的接触孔刻蚀阻挡层以及位于所述接触孔刻蚀阻挡层之上的层间介电层，所述接触孔开口贯穿所述层间介电层。进一步，处理所述接触孔开口底部的方法包括干法刻蚀。进一步，所述干法刻蚀的蚀刻气体包括氩气。进一步，对所述前端器件的表面进行处理包括采用低压气体进行物理冲洗，气体压力为10mTorr-20mTorr。进一步，所述气体包括N2H2和O2。进一步，采用清洗液去除所述接触界面复合物时，所述前端器件倾斜放置于清洗槽中。进一步，所述前端器件倾斜放置时与水平面的夹角为20°-45°。进一步，所述清洗液包括酸性清洗液。进一步，所述接触孔刻蚀阻挡层包括氮化硅层。根据本专利技术提供的半导体器件的制作方法，在形成接触孔的工艺过程中，首先对形成的接触孔开口的底部进行处理，以使在形成所述接触孔开口时在所述接触孔开口的底部形成的接触界面复合物破碎，然后对所述前端器件的表面进行处理，以改善所述表面与清洗液的接触性能；再采用清洗液去除所述接触界面复合物，避免由于产生接触界面复合物而造成的接触电阻过大与接触不良等问题，保证半导体器件的性能稳定、提高了产品良率。附图说明通过结合附图对本专利技术实施例进行更详细的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。附图中：图1是根据本专利技术示例性实施例的一种半导体器件的制作方法的示意性流程图。图2A-2B是根据本专利技术示例性实施例的方法依次实施的步骤所分别获得的器件的示意性剖面图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。由于集成电路的制造向超大规模集成电路发展，其内部的电路密度越来越大，随着芯片中所含元件数量的不断增加，实际上就减少了表面连线的可用空间。这一问题的解决方法是采用多层金属导线设计，利用多层绝缘层和导电层相互叠加的多层连接，这其中就需要制作大量的接触孔。比如，现有的MOS晶体管工艺中，需要在源极、漏极以及多晶硅栅极上形成接触孔。在实际工艺中，当刻蚀层间介电层(ILD)和接触孔刻蚀阻挡层(CESL)以形成接触孔(contact)时，在相应的刻蚀区域会产生接触界面复合物；当采用高速率刻蚀时，产生接触界面复合物的问题更严重。这些接触界面复合物堆积在接触孔开口的底部非常容易造成器件的接触电阻过大，而且会对后续工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供前端器件，所述前端器件中形成有接触孔开口；处理所述接触孔开口的底部，以使在形成所述接触孔开口时在所述接触孔开口的底部形成的接触界面复合物破碎；对所述前端器件的表面进行处理，以改善所述表面与清洗液的接触性能；采用清洗液去除所述接触界面复合物。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供前端器件，所述前端器件中形成有接触孔开口；处理所述接触孔开口的底部，以使在形成所述接触孔开口时在所述接触孔开口的底部形成的接触界面复合物破碎；对所述前端器件的表面进行处理，以改善所述表面与清洗液的接触性能；采用清洗液去除所述接触界面复合物。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前端器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的栅极和源/漏极、覆盖所述栅极和源/漏极的接触孔刻蚀阻挡层以及位于所述接触孔刻蚀阻挡层之上的层间介电层，所述接触孔开口贯穿所述层间介电层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，处理所述接触孔开口底部的方法包括干法刻蚀。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：林杰，徐鸾，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11