成膜装置及成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。

Film forming device and film forming method

The invention discloses a film forming device and a film forming method for forming a film. The film forming device comprises a vacuum chamber, an exhaust mechanism, which is connected with the vacuum chamber for exhaust, a substrate holding mechanism for holding the substrate in the vacuum chamber, and a film forming mechanism which is arranged in the vacuum chamber. The guiding mechanism is capable of introducing hydroxyl gas into the vacuum chamber during the film forming process of the film forming mechanism.

【技术实现步骤摘要】
成膜装置及成膜方法
本专利技术涉及特别适于光学薄膜及功能性薄膜等的各种薄膜的成膜装置及成膜方法。
技术介绍
在用于光学透镜及光学滤光器等光学材料中的光学薄膜(包括防反射膜)的领域中，其光学特性稍有降低就会使作为最终制品的特性发生显著降低。因而针对光学薄膜，希望提高其光学特性(例如光透过率等)。另外，已知有经由以下所示的工序来对作为功能性薄膜一例的防污膜进行成膜的技术(专利文献1)。该方法为下述方法：首先将作为处理对象的两个以上的基板保持在基板支架的基板保持面的整个面上，之后使该基板支架在真空腔室内旋转。接下来，在维持该旋转的状态下，向着两个以上基板中的全部基板连续照射离子(离子的全面照射)，之后使由防污膜的形成原料构成的成膜材料向着通过离子照射而形成了表面凹凸的全部基板进行蒸发并使其附着(成膜材料的全面供给)。通过以上的工序，可将防污膜堆积在两个以上基板中的全部基板的凹凸形成面上。若采用该方法，则能够形成具备可耐实用的耐磨耗性的防污膜(专利文献1的0029段落)；但近年来希望进一步提高针对防污膜的耐磨耗性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-90454号公报
技术实现思路
本专利技术的目的是提供可有效地进一步提高耐磨耗性且具有疏水、疏油、防污等各种特性的功能性薄膜的成膜装置及成膜方法。为达到上述目的，本专利技术提供一种成膜装置，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。一种成膜装置，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构成膜后向所述真空腔室内导入含羟基气体。一种成膜装置，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够向所述基板导入含羟基气体；移动机构,其通过使所述真空腔室内的基板保持机构移动,从而能够向所述基板间歇地供给两次以上的含羟基气体。作为一种优选的实施方式，所述含羟基气体包括气体状态的水、醇中的至少一种。作为一种优选的实施方式，所述导入机构能够导入两种以上的含羟基气体。作为一种优选的实施方式，所述导入机构包括能将水气化的气化器；所述气化器通过管道与所述真空腔室连通；所述管道上设有真空阀。作为一种优选的实施方式，所述管道上还设置有气体流量计。作为一种优选的实施方式，所述气体流量计设置于所述真空阀与所述气化器之间。作为一种优选的实施方式，所述管道的一端通入所述真空腔室的下部。作为一种优选的实施方式，所述薄膜包括防污膜、或硬质膜。一种成膜方法，包括：供给气体工序，所述供给气体工序是向真空腔室内导入含羟基气体的工序；成膜工序，所述成膜工序是在基板上进行薄膜的成膜的工序；所述供给气体工序与所述成膜工序同时进行。一种成膜方法，包括：供给气体工序，所述供给气体工序是向真空腔室内导入含羟基气体的工序；成膜工序，所述成膜工序是在基板上进行薄膜的成膜的工序；所述供给气体工序在所述成膜工序之后进行。一种成膜方法，包括：供给气体工序，所述供给气体工序是通过使基板移动，向基板间歇地供给含羟基气体的工序，以及成膜工序，所述成膜工序是在基板上进行薄膜的成膜的工序。作为一种优选的实施方式，在所述成膜工序之前，还包括向真空腔室内导入含羟基气体的预供给气体工序。作为一种优选的实施方式，所述含羟基气体包括水蒸气、醇中的至少一种气体。作为一种优选的实施方式，在所述供给气体工序中导入两种以上的含羟基气体。作为一种优选的实施方式，在所述供给气体工序中，向真空腔室内导入含羟基气体至第一预定压强P1；所述第一预定压强P1为1×10-3Pa≤P1＜1×105Pa。作为一种优选的实施方式，在所述预供给气体工序中，向真空腔室内导入含羟基气体至第二预定压强P2，所述第二预定压强P2为1×10-3Pa≤P2≤2×104Pa。作为一种优选的实施方式，在进行所述预供给气体工序后，直接进行所述成膜工序。作为一种优选的实施方式，在所述供给气体工序中，导入所述含羟基气体的时间为t≤60min。作为一种优选的实施方式，在所述预供给气体工序中，导入所述含羟基气体的时间为t≤60min。作为一种优选的实施方式，导入所述含羟基气体的速度为1-10000sccm。作为一种优选的实施方式，在所述预供给气体工序之前，还包括在基板上进行二氧化硅的成膜的二氧化硅成膜工序。作为一种优选的实施方式，所述含羟基气体为水蒸气。作为一种优选的实施方式，所述基板的材料包括玻璃、蓝宝石、铝、不锈钢、氧化铝、PET、聚碳酸酯、三醋酸纤维薄膜中的至少一种。作为一种优选的实施方式，所述薄膜包括防污膜、或硬质膜。借由以上技术方案，本专利技术通过向真空腔室内导入(或输入)含羟基气体，从而在基板的被成膜面上形成薄膜时提供更多地可用于成膜的羟基，形成耐磨损的膜面(薄膜)。参照后文的说明和附图，详细公开了本专利技术的特定实施方式，指明了本专利技术的原理可以被采用的方式。应该理解，本专利技术的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本专利技术的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一个实施方式提供的成膜装置示意图；图2是采用图1所示装置获得的带有薄膜的基板示意图；图3是现有技术中未加入含羟基气体工序的成膜示意图；图4是本申请加入含羟基气体工序的成膜示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，其用于形成薄膜，其特征在于，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。

【技术特征摘要】
1.一种成膜装置，其用于形成薄膜，其特征在于，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。2.一种成膜装置，其用于形成薄膜，其特征在于，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构成膜后向所述真空腔室内导入含羟基气体。3.一种成膜装置，其用于形成薄膜，其特征在于，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够向所述基板导入含羟基气体；移动机构,其通过使所述真空腔室内的基板保持机构移动,从而能够向所述基板间歇地供给两次以上的含羟基气体。4.如权利要求1-3任一所述的成膜装置，其特征在于：所述含羟基气体包括气体状态的水、醇中的至少一种。5.如权利要求4所述的成膜装置，其特征在于：所述导入机构能够导入两种以上的含羟基气体。6.如权利要求1-3任一所述的成膜装置，其特征在于：所述导入机构包括能将水气化的气化器；所述气化器通过管道与所述真空腔室连通；所述管道上设有真空阀。7.如权利要求6任一所述的成膜装置，其特征在于：所述管道上还设置有气体流量计。8.如权利要求7任一所述的成膜装置，其特征在于：所述气体流量计设置于所述真空阀与所述气化器之间。9.如权利要求8任一所述的成膜装置，其特征在于：所述管道的一端通入所述真空腔室的下部。10.如权利要求1-3任一所述的成膜装置，其特征在于：所述薄膜包括防污膜、或硬质膜。11.一种成膜方法，其特征在于，包括：供给气体工序，所述供给气体工序是向真空腔室内导入含羟基气体的工序；成膜工序，所述成膜工序是在基板上进行薄膜的成膜的工序；所述供给气体工序与所述成膜工序同时进行。12.一种成膜方法，其特征在于，包括：供给气...

【专利技术属性】
技术研发人员：长江亦周，宫内充祐，大泷芳幸，重田勇辉，佐守真悟，
申请(专利权)人：株式会社新柯隆，
类型：发明
国别省市：日本,JP