The utility model relates to a driving and protecting circuit of silicon carbide MOS transistor, which comprises a driving transformer T2, a push-pull circuit connected with the original side of the driving transformer and a driving and output circuit connected with the auxiliary side of the driving transformer. The driving and output circuit comprises a PNP transistor, a first voltage regulator, a high-level output terminal and a low-level output terminal. The base and emitter of the PNP triode are respectively connected to the first end of the secondary side coil, the collector of the PNP triode is connected to the anode of the first voltage stabilizer, the cathode of the first voltage stabilizer is connected to the second end of the secondary side coil, and the high-level output is connected to the emitter of the PNP triode, and the low-current is provided. The flat output terminal is connected with the cathode of the first regulator tube. The utility model can satisfy the fast driving of the silicon carbide MOS tube on and off, eliminate the driving peak and interference, and realize the reliable turn-off of the silicon carbide MOS tube.
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅MOS管驱动保护电路
本技术涉及一种碳化硅MOS管驱动保护电路,属于碳化硅功率器件领域。
技术介绍
在电力电子行业的发展过程中,半导体技术起到了决定性作用。其中,功率半导体器件一直被认为是电力电子设备的关键组成部分。随着电力电子技术在工业、医疗、交通、消费等行业的广泛应用,功率半导体器件直接影响着这些电力电子设备的成本和效率。功率硅器件的应用已经相当成熟,但随着日益增长的行业需求,硅器件由于其本身物理特性的限制,已经开始不适用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(sic)材料因其优越的物理特性,碳化硅MOSFE一直是最受瞩目的碳化硅开关管,它不仅具有理想的栅极绝缘特性、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性,而且其驱动电路非常简单,并与现有的电力电子器件(硅功率MOSFET和IGBT)驱动电路的兼容性是碳化硅器件中最好的。自从碳化硅1824年被瑞典科学家JacobBerzelius发现以来,直到二十世纪五十年代后半期,才真正被纳入到固体器件的研究中来。二十世纪九十年代以来,碳化硅技术得到了迅速发展。20世纪90年代以来,碳化硅(siliconcarbide,sic)MOSFET技术的迅速发展,引起人们对这种新一代功率器件的广泛关注。与Si材料相比,碳化硅材料较高的热导率决定了其高电流密度的特性,较高的禁带宽度又决定了碳化硅(sic)器件的高击穿场强和高工作温度。尤其在碳化硅(sic)MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的SiMOSFET相比,碳化硅(sic)MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由 ...
【技术保护点】
1.一种碳化硅MOS管驱动保护电路,其特征在于,包括推挽电路和变压器,所述变压器包括原边线圈和至少一个副边线圈,所述原边线圈与推挽电路的输出端相连,所述推挽电路的信号输入端用于接收控制信号,各副边线圈均连接一个驱动输出电路,所述驱动输出电路包括PNP三极管、第一稳压管、高电平输出端和低电平输出端,所述PNP三极管的基极和发射极分别与所述副边线圈的第一端相连,所述PNP三极管的集电极连接所述第一稳压管的阳极,所述第一稳压管的阴极连接所述副边线圈的第二端,所述高电平输出端连接所述PNP三极管的发射极,所述低电平输出端连接所述第一稳压管的阴极。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅MOS管驱动保护电路,其特征在于,包括推挽电路和变压器,所述变压器包括原边线圈和至少一个副边线圈,所述原边线圈与推挽电路的输出端相连,所述推挽电路的信号输入端用于接收控制信号,各副边线圈均连接一个驱动输出电路,所述驱动输出电路包括PNP三极管、第一稳压管、高电平输出端和低电平输出端,所述PNP三极管的基极和发射极分别与所述副边线圈的第一端相连,所述PNP三极管的集电极连接所述第一稳压管的阳极,所述第一稳压管的阴极连接所述副边线圈的第二端,所述高电平输出端连接所述PNP三极管的发射极,所述低电平输出端连接所述第一稳压管的阴极。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS管驱动保护电路,其特征在于,所述各驱动输出电路还包括钳位电路,所述钳位电路包括第二稳压二极管和第三稳压二极管,所述高电平输出端还连接第二稳压二极管的阴极,所述第二稳压二极管的阳极还连接所述副边线圈第二端,所述低电平输出端还连接第三稳压二极管的阴极,所述第三稳压二极管的阳极还连接所述副边线圈第一端。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅MOS管驱动保护电路,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:张滨,曹亚,常志国,曹智慧,韩海伦,于越,黄栋杰,袁顺刚,刘振威,张博,邓思维,张晓丽,胡明珠,赵改,白蒲花,
申请(专利权)人:许继电源有限公司,许继电气股份有限公司,许继集团有限公司,北京华商三优新能源科技有限公司,
类型:新型
国别省市:河南,41
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