一种直拉单晶硅方法技术

本发明专利技术提供一种直拉单晶硅方法，包括以下步骤：提供表面生长有氘掺杂氮化硅的硅片；将所述硅片与多晶硅碎块进行混合熔合；进行籽晶熔接；采用加磁场直拉法形成单晶硅锭。本发明专利技术还提供一种晶圆的形成方法，采用单晶硅锭作为原始材料形成晶圆，其中，所述单晶硅锭采用上述直拉单晶硅方法形成。本发明专利技术的直拉单晶硅方法可以较精确地控制硅单晶棒中的氮及氘浓度以及获得良好的掺杂均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉单晶硅方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种直拉单晶硅的方法。
技术介绍
在直拉单晶硅生长的过程中，由于石英坩埚的熔解，一部分氧通常会进入到单晶硅中，这些氧主要存在于硅晶格的间隙位置。当间隙氧的浓度超过某一温度下氧在硅中的溶解度时，间隙氧就会在单晶硅中沉淀下来，形成单晶硅中常见的氧沉淀缺陷。如果不对硅片中的氧沉淀进行控制，将会对集成电路器件造成危害。通过一定的工艺，在硅片体内形成高密度的氧沉淀，而在硅片表面形成一定深度的无缺陷的洁净区。该区域将用于制造器件，这就是“内吸杂”工艺。随着甚大规模集成电路(ULSI)的发展，特征线宽越来越小，这就需要降低单晶硅中的氧浓度以免在器件有源区中形成缺陷，同时集成电路工艺的热预算较以前有显著降低。因此，在硅片体内形成氧沉淀的条件不能得到很好的满足，从而影响内吸杂效果。解决这个问题的途径之一就是在直拉单晶硅中掺氮，这主要是因为氮可以促进直拉单晶硅中的氧沉淀下来，从而增强硅片的内吸杂能力。此外在直拉硅单晶中掺氮还可以提高硅片机械强度，抑制空洞型缺陷。采用红外光散射断层扫描术(IR-LST)和扫描红外显微术(SIRM)研究氧沉淀分布情本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直拉单晶硅方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供表面生长有氘掺杂氮化硅的硅片；将所述硅片与多晶硅碎块进行混合熔合；进行籽晶熔接；采用加磁场直拉法形成单晶硅锭。

【技术特征摘要】
1.一种直拉单晶硅方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供表面生长有氘掺杂氮化硅的硅片；将所述硅片与多晶硅碎块进行混合熔合；进行籽晶熔接；采用加磁场直拉法形成单晶硅锭。2.根据权利要求1所述的直拉单晶硅方法，其特征在于：提供表面生长有氘掺杂氮化硅的硅片，通过化学气相沉积在硅片表面生长有氘掺杂的氮化硅。3.根据权利要求2所述的直拉单晶硅方法，其特征在于：采用低压化学气相沉积或等离子体化学气相沉积方法生长有氘掺杂的氮化硅。4.根据权利要求1所述的直拉单晶硅方法，其特征在于：所述有氘掺杂的氮化硅的厚度为20nm～5000nm。5.根据权利要求1所述的直拉单晶硅方法，其特征在于：将所述硅片与多晶硅碎块进行混合熔合时，在高于氮化硅熔点的预定温度进行混合熔合。6.根据权利要求5所述的直拉单晶硅方法，其特征在于：所述预定温度为1420～1500℃。7.根据权利要求1所述的直拉单晶硅方法，其特征在于：进行籽晶熔接时，降低熔体温度使硅熔体表面中心区域的温度至硅熔点温度。8.根据权利要求1所述的直拉单晶硅方法，其特征在于：采用加磁场直拉法形成单晶硅锭...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31