一种单晶硅炉内导流筒制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶硅炉内导流筒，包括外筒和内筒，外筒的内侧设有反射层和保温层，保温层的一侧设有内筒，保温层和内筒之间设有空腔，内筒的顶部固定连接有分流导流筒，分流导流筒由喇叭状的排气导流筒段、水平导流环和竖直段辅助分流筒组成，外筒的顶部通过螺栓和螺母与水平导流环固定连接，外筒的底部设有出气口。本实用新型专利技术单晶硅炉内导流筒，通过保温层内部设有内筒，保温层和内筒间为空腔，且空腔厚度不小于5mm，减少保温层热量对内筒的热传导，使保温效果大打折扣，将气流分割成内外两股，从而减少气流带走加热器的热量，同时借助外筒上的保温层和反射层，屏蔽热流并反射加热器的热辐射，从而减少热量的散失。

A monocrystalline silicon furnace draft tube

The utility model discloses a single crystal silicon furnace inner diversion tube, which comprises an outer tube and an inner tube. The inner side of the outer tube is provided with a reflective layer and a thermal insulation layer. An inner tube is arranged on one side of the insulation layer, and a cavity is arranged between the insulation layer and the inner tube. The top of the inner tube is fixed with a shunt diversion tube, and the shunt diversion tube is provided with a trumpet-shaped exhaust diversion tube section. The top of the outer tube is fixedly connected with the horizontal guide ring by bolts and nuts, and the bottom of the outer tube is provided with an air outlet. The inner tube of the single crystal silicon furnace of the utility model is provided with an inner tube through the insulating layer, and the insulating layer and the inner tube are cavities, and the thickness of the cavity is not less than 5 mm, thus reducing the heat conduction of the insulating layer to the inner tube, greatly reducing the heat preservation effect, and dividing the air flow into inner and outer strands, thereby reducing the heat carried by the air flow to the heater. The heat flux is shielded and the heat radiation of the heater is reflected by the insulating layer and the reflecting layer on the outer cylinder so as to reduce the heat loss.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅炉内导流筒
本技术涉及单晶硅制造
，具体为一种单晶硅炉内导流筒。
技术介绍
随着集成电路向小型化、低功耗、高运算速率、窄线宽的快速发展，对大尺寸集成电路用硅片的品质与性能提出了更高的要求。随着晶锭尺寸的加大，晶锭生长所需的温度场设计难度增大，单晶硅生长炉制造难度与成本大幅增加。各个单晶硅生产厂家都在尽一切努力提高无位错单晶成品率，以取得在市场竞争中的优势为提高无位错单晶成品率上，就必须增加高纯氩气对固液界面的保护，以防止周围颗粒进入固液界面破坏无位错单晶生长。现有的技术在一定程度上具有提供晶锭生长速率，降低熔体中氧浓度的作用，但依然存在晶锭生长末期，坩埚壁对导流筒的辐射加剧，导流筒温度升高，导流筒自身对晶锭的辐射加剧，不利于晶锭的生长，坩埚和熔体热辐射热量散失严重，升温化料时间较长，单晶炉功耗高，晶锭中氧浓度依然较高，晶锭的电阻率较低，因此我们对此做出改进，提出一种单晶硅炉内导流筒。
技术实现思路
为解决现有技术存在的温度过高、功耗大和晶锭中氧浓度高的缺陷，本技术提供一种单晶硅炉内导流筒。为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案：本技术一种单晶硅炉内导流筒，包括外筒和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶硅炉内导流筒，包括外筒(1)和内筒(2)，其特征在于，所述外筒(1)的内侧设有反射层(9)和保温层(8)，所述保温层(8)的一侧设有内筒(2)，所述保温层(8)和内筒(2)之间设有空腔(7)，所述内筒(2)的顶部固定连接有分流导流筒(3)，所述分流导流筒(3)由喇叭状的排气导流筒段(4)、水平导流环(5)和竖直段辅助分流筒(6)组成，所述外筒(1)的顶部通过螺栓(11)和螺母(12)与水平导流环(5)固定连接，所述水平导流环(5)的内侧套设有喇叭状的排气导流筒段(4)，所述水平导流环(5)的另一端套设有竖直段辅助分流筒(6)，所述外筒(1)的底部设有出气口(10)。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅炉内导流筒，包括外筒(1)和内筒(2)，其特征在于，所述外筒(1)的内侧设有反射层(9)和保温层(8)，所述保温层(8)的一侧设有内筒(2)，所述保温层(8)和内筒(2)之间设有空腔(7)，所述内筒(2)的顶部固定连接有分流导流筒(3)，所述分流导流筒(3)由喇叭状的排气导流筒段(4)、水平导流环(5)和竖直段辅助分流筒(6)组成，所述外筒(1)的顶部通过螺栓(11)和螺母(12)与水平导流环(5)固定连接，所述水平导流环(5)的内侧套设有喇叭状的排气导流筒段(4)，所述水平导流...

【专利技术属性】
技术研发人员：路建华，陈钦强，
申请(专利权)人：青海日晶光电有限公司，
类型：新型
国别省市：青海,63