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本发明提供一种直拉单晶硅方法，包括以下步骤：提供表面生长有氘掺杂氮化硅的硅片；将所述硅片与多晶硅碎块进行混合熔合；进行籽晶熔接；采用加磁场直拉法形成单晶硅锭。本发明还提供一种晶圆的形成方法，采用单晶硅锭作为原始材料形成晶圆，其中，所述单晶硅...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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