一种微流体电容器制造技术

本实用新型专利技术提出一种微流体电容器，包括衬底及与所述衬底固定连接的盖板。其中，所述衬底朝向所述盖板的面上设置有一第一沟道，所述第一沟道中覆盖有一第一导电层，所述盖板朝向所述衬底的面上，对应所述第一沟道的位置，设置有一第二沟道，所述第二沟道中覆盖一第二导电层，所述第一沟道与所述第二沟道形成一微流体通道，所述微流体通道与外部流路相连接，所述外部流路中的微流体流入所述微流体通道，形成一以微流体为介质的微流体电容器。本实用新型专利技术所提供的电容器利用一流过微流体通道的微流体作为介质形成一电容值可变的可变电容器。

A microfluidic capacitor

The utility model provides a microfluidic capacitor, which comprises a substrate and a cover plate fixed to the substrate. A first conductive layer is covered in the first channel, and the cover plate faces to the surface of the substrate. A second channel is arranged corresponding to the position of the first channel. A second conductive layer and the first channel are covered in the second channel. A microfluid channel is formed with the second channel, the microfluid channel is connected with an external flow path, and the microfluid in the external flow path flows into the microfluid channel to form a microfluid capacitor with the microfluid as the medium. The capacitor provided by the utility model uses the microfluids flowing through the microfluidic channel as the medium to form a variable capacitance capacitor.

【技术实现步骤摘要】
一种微流体电容器
本技术涉及可变电容器领域，尤其涉及一种微流体电容器。
技术介绍
可变电容器，指其电容量可在一定范围内调节的电容器。可变电容器是电子
的关键元件之一，可广泛应用于数字、模拟、数模混合及射频等集成电路系统。现有技术已研发出多种可变电容器，如PN二极管、肖特基二极管、金属氧化物半导体晶体管等。但是，可变电容器的种类并不应仅局限于此，应该创造出更多种类的可变电容器，以适应半导体技术的不断发展。现有技术中，通常通过改变电容器极片间相对的有效面积或者极片间距离来改变电容器的电容值。这类电容器可以有很大的电容调节范围，但是通常需要驱动器来自动调节。也有一些可变电容器使用电激活材料作为介电质，当施加一定电场时，电激活材料的介电常数发生变化，从而改变电容器的电容值，但是这类电容器的电容变化范围相对较小。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提出一种微流体电容器，所述电容器利用一流过微流体通道的微流体作为介质形成一电容值可变的可变电容器，并且本技术可实现通过改变流过所述微流体通道的微流体物质，或者控制微流体物质的相变的形式改变所述微流体电容器的电容值。具体地，本技术提出一种微流体电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微流体电容器，包括衬底及与所述衬底固定连接的盖板，其特征在于，所述衬底朝向所述盖板的面上设置有一第一沟道，所述第一沟道中覆盖有一第一导电层，所述盖板朝向所述衬底的面上，对应所述第一沟道的位置，设置有一第二沟道，所述第二沟道中覆盖一第二导电层，所述第一沟道与所述第二沟道形成一微流体通道，所述微流体通道与外部流路相连接，所述外部流路中的微流体流入所述微流体通道，形成一以微流体为介质的微流体电容器。

【技术特征摘要】
1.一种微流体电容器，包括衬底及与所述衬底固定连接的盖板，其特征在于，所述衬底朝向所述盖板的面上设置有一第一沟道，所述第一沟道中覆盖有一第一导电层，所述盖板朝向所述衬底的面上，对应所述第一沟道的位置，设置有一第二沟道，所述第二沟道中覆盖一第二导电层，所述第一沟道与所述第二沟道形成一微流体通道，所述微流体通道与外部流路相连接，所述外部流路中的微流体流入所述微流体通道，形成一以微流体为介质的微流体电容器。2.如权利要求1所述的微流体电容器，其特征在于，所述衬底上，所述第一沟道开口的一侧设置有一第一引线触点，所述第一引线触点与所述第一导电层电连接，所述衬底上，所述第一引线触点的对立侧设置有一第一引线孔，所述第一引线孔纵向贯穿所述衬底，所述盖板上，对应所述第一引线触点的位置，设置有一第二引线孔，所述第二引线孔纵向贯穿所述盖板，所述盖板上，对应所述第一引线孔的位置，设置有一第二引线触点，所述第二引线点与所述第二导电层电连接。3.如权利要求2所述的微流体电容器，其特征在于，一第...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐星，娄达，
申请(专利权)人：昌微系统科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31